T/C1161-2022 1200 V和1700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器

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所属分类:电力能源
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ICSS 31.080.01
CCS K 81
团体标准
T/C1161-2022
1200V和1700V电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器
1200V and 1700V Insulated grade bipolar transistor (IGBT)gate driver
2022-12-15发布2022-12-15实施
中国国际科技促进会发布

1 700 V电压,1200 V电压,T /CI 161-2022,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器,T/C1161-2022 1200 V和1700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器

前 言
本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第 1 部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由杭州飞仕得科技股份有限公司提出。
本文件由中国国际科技促进会归口管理。
本文件起草单位:杭州飞仕得科技股份有限公司、浙江运达风电股份有限公司、杭州得诚电力科技股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州毕博标准化技术有限公司。
本文件主要起草人:李军、王坤、陈哲、钱方平、刘伟、李景灏、周才运、张杰、郭祥辉、刘乃强、杨昌国、王文广、洪磊、沈军武、付厚、魏平、孔佳佳。
本文件由杭州飞仕得科技股份有限公司制定、并负责解释。

内容摘抄:

1200 V 和 1 700 V 电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器
1 范围
本文件规定了1200V和1700V电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。
本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1200V和1700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器(以下简称“驱动器”)。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 191 包装储运图示标志
GB/T 2423.1—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温
GB/T 2423.2—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温
GB/T 2423.4 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Db 交变湿热(12h+12h循环)
GB/T 2423.5—2019 环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击
GB/T 2423.10—2019 环境试验 第2部分:试验方法 试验Fc:振动(正弦)
GB/T 2423.17 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ka:盐雾
GB/T 7354 局部放电测量
GB/T 15651—1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
GB/T 16439—2009 交流伺服系统通用技术条件
GB/T 17574—1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路
GB/T 17626.2—2018 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
GB/T 17626.3—2016 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验
GB/T 17626.4—2018 电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
GB/T 17626.5—2019 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验
GB/T 17626.6—2017 电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度
GB/T 17626.8—2006 电磁兼容 试验和测量技术 工频磁场抗扰度试验
GB/T 17626.9—2011 电磁兼容 试验和测量技术 脉冲磁场抗扰度试验
GB/T 29332 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
GB/T 39392—2020 家用电器专用智能功率模块技术规范
SJ 3212 电子产品运输包装总技术条件
IEC 61800-5-1-2022 调速电气传动系统 第5-1部分:安全要求 电、热和能量(Adjustable speed electrical power drive systems - Part 5-1: Safety requirements - Electrical, thermal and energy)

3 术语和定义
GB/T 29332以及下列界定的术语和定义适用于本文件。
3.1
开通延时 opening delay
驱动器输入PWM信号上升沿10%传输至门极输出信号上升沿10%所需的时间。
3.2
关断延时 turn-off delay
驱动器输入PWM信号下降沿90%传输至门极输出信号下降沿90%所需的时间。
3.3
上升时间 rise time
驱动器门极输出信号的门极关断电压(-15V/-8V)的10%至门极开通电压(+15V)的90%的时间量。
3.4
下降时间 descending time
驱动器门极输出信号的门极开通电压(+15 V)的90%至门极关断电压(-15V/-8V)的10%的时间量。
3.5
故障信号保持时间 fault signal holding time
发生故障以后,驱动器故障输出端的输出信号的保持时间。

4 缩略语
下列缩略语适用于本文件:

IGBT:绝缘栅双极型晶体管;
PWM:脉冲宽度调制;
LCR:测试电感、电阻、电容的数字电桥;
DUT:被测绝缘栅双极型晶体管驱动器;
VCE:集电极-发射极电压;
VGE:栅极-发射极电压;
SOx:故障状态输出端口。

(略)

内容索引:

目 次
目 次 ............................................................................... I
前 言 .............................................................................. II
1 范围 .............................................................................. 1
2 规范性引用文件 .................................................................... 1
3 术语和定义 ........................................................................ 2
4 缩率语 ............................................................................ 2
5 基本参数 .......................................................................... 3
6 技术要求 .......................................................................... 3
7 试验方法 .......................................................................... 6
8 检验规则 ......................................................................... 11
9 标志、包装、运输及贮存 ........................................................... 13

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