中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21165-2016
MEMS惯性器件湿法腐蚀工艺技术要求
TechnicalrequirementsforMEMSinertialdeviceswetetchingprocess
2016-12-14发布2017-03-01实施
国家国防科技工业局发布
SJ21165-2016
前言 本标准由中国电子科技集团公司提出。
本标准的附录A、附录B是资料性附录。
本标准由工业和信息化部屯子第四研究院归口。
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。
本标准主要起草人：胡小东、任霄峰、杨拥军、胥超、任倩婷、苏日丽、吝海锋、肖咸盛。
S
SJ 21165-2016
MEMS惯性器件湿法腐蚀工艺技术要求
1范围 本标准规定了MEMS惯性器件制造过程中湿法腐蚀的工艺流程、工艺要求和检验要求。
本标准适用于圆片上铝、金、铬、钛、氧化硅等薄膜湿法腐蚀以及硅各向异性湿法腐蚀（以下简称 硅湿法腐蚀）的工艺。
2规范性引用文件AND
期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误内谷））或修订版均不适用于本标准，然而本标准达成协议的各方研究 是否可使用这文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新片用于本标准。
GB/T 25915.12010净及摄美受控不境第1部分： GB/T2机电(MEMS）技术语 GB 50073-201洁号设计规范 GJB计检验积序及表
TECHNOL 3术语定业
R GB/1中确立的以及下列不语和准 3.1 湿法腐蚀（蚀）wet etching
进行腐蚀的技术。
3.2 硅各向异性湿法腐蚀 腐蚀溶液对硅晶体材料进行湿法腐蚀时，，沿不同晶体方向，腐蚀速率不同的腐蚀工艺。
4一般要求 4.1人员要求 4.1.1操作人员应经过专业岗位技术培训，经考核合格后持相应的岗位资格证上岗。
4.1.2操作人员应掌握相关半导体工艺基础知识，能解决工艺过程中出现的一般问题。
SJ 21165-2016 4.2环境要求 4.2.1净化环境 工艺间净化条件应符合GB/T25915.1-2010中ISO6级规定。
4.2.2温度 工作间的环境温度应控制在20℃～24℃。
4.2.3相对湿度 工作间的相对湿度应控制在30%～70%。
4.2.4工作场所 本工艺应在洁净厂房内进行，洁净厂房应符合GB50073-2013规定。
工作场所应整洁有序，有良好的照明条件，湿法腐蚀工作区的光照度应不低于750x，检验工作区 的光照度应不低于1000lx。
4.3安全要求 4.3.1工艺间人员应穿防静电净化服、防静电工作鞋，佩戴一次性口罩和手套。
4.3.2检查由水、电引起的安全隐患。
4.3.3设备必须接地可靠、安全。
4.3.4按设备操作规程进行操作，防止事故的发生。
4.3.5腐蚀液操作时应在通风柜中进行，佩戴防护口罩、手套、眼镜等护具。
4.3.6各种水浴加热槽，应定期检查和添加去离子水，使水位高度满足设备要求。
4.3.7各种湿法腐蚀或清洗工作开始前，台面出现的液体一律按不明液体处理，保持台面干燥。
4.3.8使用后的各种废弃溶液应合理处置，废酸应回收在固定容器中，定期回收处理。
4.3.9工艺操作应在排风正常的情况下工作，排风停止时应终止工作，并采取相应的应急处理措施。
4.3.10工艺过程中产生的尾气出废气管道接入厂房尾气管道，禁止随意排放。
4.4材料要求 工艺所需主要材料及要求见表1，所用材料应严格按照相关存储条件存放，在有效期内使用。
表1主要材料 名称技术要求用途 四甲基氢氧化铵分析纯，10%硅湿法腐蚀 过硫酸铵分析纯硅湿法腐蚀 氟化铵分析纯氧化硅湿法腐蚀 氢氟酸分析纯，40%氧化硅、钛湿法腐蚀 硝酸分析纯，90%铝湿法腐蚀 磷酸分析纯，85%铝湿法腐蚀 乙酸分析纯，36%铝、铬湿法腐蚀 碘分析纯金湿法腐蚀 碘化钾分析纯金湿法腐蚀 过氧化氢分析纯，30%钛湿法腐蚀 硝酸铈铵分析纯铬湿法腐蚀 异丙醇MOS级硅片脱水 去离子水电阻率>17MQcm配液及清洗 2
SJ 21165-2016 4.5设备、仪器和工具 4.5.1设备、仪器 设备应定期进行鉴定，仪器应定期进行计量校准，在有效期内使用，工艺常用设备、仪器见表2。
表2常用设备和仪器 名称技术要求用途 薄膜湿法腐蚀台具备温控功能，温控误差在土2℃以内，具备计时、循环过滤单元湿法腐蚀 清洗台具备超声清洗，喷淋等功能清洗 甩干机具备热氮气吹干功能甩干 台阶仪测量误差优于10A台阶测试 显微镜检验 测量显微镜检验 天平测量误差优于土0.1g配液 量杯测量误差优于±1ml配液 4. 5.2工 工具完好无损、日工具尺寸规格应与圆片...
