中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21168-2016 MEMS惯性器件金属薄膜生长工艺技术要求 Technical requirementsforMEMS inertial devicemetal filmsdepositionprocess 2016-12-14发布 2017-03-01实施 国家国防科技工业局 发布
SJ 21168-2016 前言 本标准的附录A是资料性附录。
本标准由中国电子科技集团公司提出。
本标准由工业和信息化部电子第四研究院口。
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、中国人民解放军空军驻石家庄地区军事代 表。
本标准主要起草人：胥超、 刘彦青、赵不福、温彦志。
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SJ 21168-2016 MEMS惯性器件金属薄膜生长工艺技术要求 1范围 本标准规定了MEMS惯性器件制造过程中金属薄膜生长的工艺流程、工艺要求和检验要求。
本标准适用于圆片上金属薄膜（铝、铬/金、铬/铂/金、钛/金、钛/铂/金）生长的工艺。
2规范性引用文件 是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内名）或修订版均不适用于本标准， 然而，超励根据本标准达成协议的各方研究 用于本标准。
GB/T25915.1-2010 GB/T26111微机电系统MEMS）技术术语 TECHNOL GB 500 3-2013 洁净 房设计规范 GJB 1 9A-1996 计 检验程序及装 3术语和 定义 GB/12 261 中确立的及下列术语和 本标准 3.1 硅自然氧化层 siliconnature oxide 硅与空气中 气反应生成的一层薄氧化硅。
3.2 欧姆接触 ohmcontact OGY 指没有整流作用的接触， 4一般要求 4.1人员要求 4.1.1 操作人员应经过专业岗位技术培训，经考核合格后持相应的岗位资格证上岗。
4.1.2操作人员应掌握相关半导体工艺基础知识，能解决工艺过程中出现的一般问题。
4.2环境要求 4.2.1净化环境 工艺间净化条件应符合GB/T25915.1-2010中ISO6级规定。
SJ 21168-2016 4.2.2温度 工作间的环境温度应控制在20℃～24℃。
4.2.3相对湿度 工作间的相对湿度应控制在30%～70%。
4.2.4工作场所 本工艺应在洁净厂房内进行，洁净厂房的设计应符合GB50073-2013的规定。
工作场所应整洁有序，有良好的照明条件，湿法腐蚀工作台面的光照度应不低于750lx，检验工作 台面的光照度应不低于1000lx。
4.3安全要求 4.3.1工艺间人员应穿防静电净化服、防静电工作鞋，佩戴一次性口罩和手套。
4.3.2检查由水、电引起的安全隐患。
4.3.3设备必须接地可靠、安全。
4.3.4按设备操作规程进行操作，防止事故的发生。
4.3.5腐蚀液有刺激性、腐蚀性，操作时应在通风柜中进行，佩戴防护口罩、手套、眼镜等护具。
4.3.6在高压端操作时，必须两人在场，进行相关操作。
4.3.7操作场地应通风良好，清洗圆片时应在指定的通风柜中操作。
4.3.8使用化学品时，应确认包装完整、无破损。
4.3.9清洗圆片所产生的废液应合理处置，废酸应回收在固定容器中，定期回收处理。
4.3.10工艺过程所产生的尾气经处理后接入厂房尾气管道，禁止随意排放。
4.4材料要求 工艺所需主要材料及要求见表1，所用材料应严格按照相关存储条件存放，在有效期内使用。
表1主要材料 名称 技术要求 用途 金（Au） 纯度99.99% 金薄膜生长 铝(A1) 纯度99.99% 铝薄膜生长 铂(Pt) 纯度99.99% 铂薄膜生长 铬（Cr） 纯度99.9% 铬薄膜生长 钛（Ti） 纯度99.9% 钛薄膜生长 氩气（Ar） 纯度99.999% 溅射工艺 氮气（N） 纯度99.999% 溅射工艺 氢氟酸 MOS级，40% 清洗腐蚀 硫酸 MOS级，96% 清洗腐蚀 硝酸 MOS级，90% 清洗腐蚀 盐酸 MOS级，36% 清洗腐蚀 过氧化氢 MOS级，30% 清洗腐蚀 去离子水 电阻率>17M2cm 清洗 2
SJ 21168-2016 4.5设备、仪器和工具要求 4.5.1设备、仪器 设备应定期进行鉴定，仪器应定期进行计量校准，在有效期内使用，工艺常用设备、仪器见表2。
表2常用设备和仪器 名称 技术要求 用途 磁控溅射台 通常用于1um以下 要求极限真空压强小于10Pa，靶位数至少三个，具备加热烘烤功能 金属薄膜生长 要求极限真空压强小于10Pa，坩埚数至少三个，具备加热烘烤以及晶振膜 通常用于1um以上 电子束蒸发台 厚监控功能 金属薄膜生长 甩干机 要求...
