中华人民共和国电子行业标准 FL6190 SJ21260-2018 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）设备 工艺验证方法 Technological verificationproceduresformetal-organicchemicalvapor deposition(MOCVD)equipment 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布
SJ21260-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录。
本标准由中国电子科技集团公司提出。
本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所。
本标准主要起草人：巩小亮 范迎新 S
SJ 21260-2018 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）设备工艺验证方法 1范围 本标准规定了金属有机物化学气相淀积（MOCVD）设备工艺验证的一般要求、试验条件和验证方 法等内容。
2规范性引用文件 日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含撕误的内容）或修订版均不适用于本标准， 然而 标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版 是不注日期的引用文件 其最新版本适用于本标准。
GB/T 25915:1-2010 不境第1部分 亢洁净度等级） ECHNO 3术语和 定义 下列木酒和定义适用于本标准 3.1 X射线行射接摆曲线半峰宽fallwidth athaifmaximam of X-rayrockingeure 针对特走品面进行高分辨又射线衍射测试获得的摇摆曲线在峰值高度一处的曲线宽度，简称半峰 宽，可用子表征外延单晶薄膜的缺陷程度。
一般而言，特定晶面的半峰宽趣少， 表示某种或某几种类型 的缺陷密度越小 则材料的晶体质量越好。
3.2 本底载流子浓度backgroundcarrierlevel 般而言，本底载流子浓度越小， 4一般要求 4.1验证试验前受试MOCVD设备状态控制 应通过以下措施保证试验前受试MOCVD设备的技术状态： a）送验方应提前向承试方提交产品规范和受试MOCVD设备随机文件； b) 受试MOCVD设备主要技术性能应达到产品规范所规定的要求； 承试方对受试MOCVD设备及其光学在线监测系统进行相应的调整和校准； d 承试方检查并记录受试MOCVD设备的有关技术参数和工作状态，记录格式参见附录A中的表 A.1。
4.2验证试验过程中受试MOCVD设备状态控制 应通过以下措施保证试验过程中受试MOCVD设备的技术状态：
SJ 21260-2018 a）受试MOCVD设备移交后，由承试方负责组织实施MOCVD设备的验证试验工作； b）未经承试方同意，任何人不得随意更改、调整受试MOCVD设备的工作状态； c）试验期间受试MOCVD设备的使用、维护和保养，应按送验方提供的MOCVD设备使用说明书 中的有关规定执行； d）试验期间受试MOCVD设备所发生的故障及其检查排除情况应予以记录，记录格式参见附录A 中的表A.2； e）试验期间受试MOCVD设备零件、部件、整件损坏或失效，须经承试方同意后方可更换，更换 后应对MOCVD设备有关技术参数重新测试。
4.3验证试验后受试MOCVD设备状态控制 应通过以下措施保证试验后受试MOCVD设备的技术状态： a)检查并记录受试MOCVD设备的有关技术参数和工作状态； b）试验结束后承试方应及时向送验方提交试验结论。
4.4测试仪器和设备 测试仪器和设备应在检定/校准合格有效期内。
若无特殊规定，测试仪器和设备的精度应高于受试 MOCVD设备参数允许误差一个数量级。
4.5操作人员 受试MOCVD设备操作人员应经专业训练，具有正确操作设备的特定技能，并在验证过程中采用正 确的试验操作方法。
4.6中断与恢复试验 4.6.1中断试验 当发生下列情况之一时，应中断试验： a）试验中任一工艺指标达不到要求，在试验场地难以查出原因，无法采取纠正措施； b）试验条件、受试MOCVD设备在试验场地出现问题（异常），影响试验继续进行。
4.6.2恢复试验 当引起中断试验的原因确已查明，并具备重新试验条件时，应由送验方与承试方共同商议后重新开 始试验。
5详细要求 5.1验证试验条件 5.1.1试验环境 试验环境应满足下列要求： a）温度：23C±3℃； b)相对湿度：40%~60%； c）大气压：86kPa~106kPa; d）洁净室的净化等级：应符合GB/T25915.1-2010的ISO7级或ISO7级以上。
5.1.2供电 MOCVD设备供电应符合下列要求： a）电源供电电压允许偏差为额定电压的土10%； b）电源频率偏差允许为标准频率（50Hz）的土2%。
5.1.3供气 MOCVD使...
