中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ21442-2018
GaN-SI型半绝缘氮化单晶片规范 Specification for semi-insulating gallium nitride monocrystalline wafers of GaN-SI
2018-01-18发布2018-05-01实施
国家国防科技工业局发布
SJ 21442-2018
目次
前言. 1范围. 2规范性引用文件 3要求.. 4质量保证规定 4.1检验分类 4.2检验条件 4.3鉴定检验 4.4质量一致性检验 4.5检验方法 5交货准备 5.1包装.. 5.2装箱 5.3运输和储存 5.4标志， 6说明事项， 6.1预定用途 6.2型号. 6.3订购文件中应明确的内容 附录A（规范性附录）氮化单晶片电阻率的非接触测试方法 附录B（规范性附录）氮化单晶片位错密度的测试方法.11 附录C（规范性附录）氮化单晶片表面杂质浓度测试方法，15
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前言
本规范的附录A、附录B和附录C为规范性附录。
本规范由中国电子科技集团公司提出。
本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本规范主要起草人：王再恩、张嵩、杨丹丹、齐海涛、洪颖、程红娟、李晖、高飞、郑风振、 徐永宽。
II
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GaN-SI型半绝缘氮化镓单晶片规范
1范围 本规范规定了GaN-SI型半绝缘氮化单晶片的要求、质量保证规定、交货准备等。
本规范适用于GaN-SI型半绝缘氮化单晶片(以下简称氮化单晶片)。
2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，但鼓励根据本规范达成协议的各方研究，可 使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T191包装储运图示标志 GB/T1555-2009半导体单晶晶向测定方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度及总厚度变化测试方法 GB/T32188-2015氮化单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 GB/T32189-2015氮化单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 GB/T32278-2015碳化硅晶片的平整度测试方法 GJB179A-1996计数抽样检验程序及表 3要求 3.1外形尺寸 2英寸、3英寸和4英寸氮化镓单晶片外形示意图见图1。
嫁面
厚度 主参考面 图1氮化单晶片外形示意图 外形尺寸指标应满足表1要求。
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表1氮化单晶片外形尺寸 型号直径厚度”总厚度变化弯曲度主参考面取向主参考面长度副参考面副参考面长度 mmμmmm取向mm GaN-SI-BP0250.83350±30≤15±0.5°16.0±1.0主参考面顺时8.0±1.0
针转90°±3° GaN-SI-BP0376.2*03450±3525±0.5°22.0±1.5主参考面顺时11.0±1.5
针转90°±3° GaN-SI-BP04100.0°03550±40≤3540±0.5°32.0±2.0主参考面顺时18.0±2.0
针转90°±3° 除另有要求外，晶片厚度按照表中参数执行。
3.2表面质量 氮化镓单晶片表面为双面抛光，其镓面应无裂纹、无划伤、无沾污、无崩边，宏观缺陷（颗粒、坑） 不大于2个每平方厘米。
3.3晶向 氮化单晶片晶向为偏向M轴0.35°土0.15°。
其中M轴方向为。
3.4表面粗糙度 氮化镓单晶片面表面粗糙度Ra不大于0.5nm。
3.5电阻率 氮化单晶片的电阻率不小于1x10°Ωcm。
3.6X射线衍射(XRD)摇摆曲线半高宽 氮化单晶片(0002)面X射线衍射(XRD)摇摆曲线半高宽不大于120弧秒。
氮化单晶片(1012)面X射线衍射(XRD)摇摆曲线半高宽不大于120弧秒。
3.7位错密度 氮化镓单晶片的位错密度不大于5×10°个每平方厘米。
3.8表面硅杂质浓度 氮化单晶片面硅杂质浓度不大于5x10个每立方厘米。
4质量保证规定 4.1检验分类 本规范规定的检验分类如下： a）鉴定检验（见4.3）； b）质量一致性检验（见4.4）。
4.2检验条件 除另有规定外，应在下列条件下进行检验： a)温度：15°℃~35°℃； b）相对湿度：30%~70%。
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