ICS 33.180 L50备案号：SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11405--2009
光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 Semiconductoroptoelectronicdevicesforfibre optic system applications-Part 2:Measuring methods (IEC 62007-2:1999,IDT)
2009-11-17发布2010-01-01实施 SJ中华人民共和国工业和信息化部发布
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目次
前言 范. 2规范性引用文件 3光发射器件测量方法 3.1带或不带尼纤的发光极管（I.ED）、红外发射极管（IRED）、激）极管的辐射功率或正向电流 3.2带或不带尼纤的红外发射板管、发光二极管的开关时间2 3.3带或不带尼纤的发光二极管（LED）、红外发射极管（IRED）和激光二极管的小信号截止频率（fc） .4 3.4带或不带尼纤的激光二极管的阅值电流：4 3.5带或不带纤的发光极管（LED）红外发射极管（IRED）和激光极管的相对强度噪声.6 3.6带或不带飞纤的激光二极管的开关时间 3.7带或不带尼纤的发光极管、红外发射极管、激光极管的载被噪声比 3.8带或不带纤的发光极管、红外发射二极管、激光极管及激光模块的S参数 3.9带纤、带或不带致冷器的激光模块的跟踪误差、...1 3.10带或不带尾纤的激光极管的光谱线宽.....12 3.11发光极管（IED）和i红外发射二极管（IRED）在1dB压缩点的调制电流（Ip"1dB））..1. 3.12发光极管（LED）和红外发射二极管（IRED）的双频差拍失真（I)12D21）....15 3.13激光极管或激光极管模块的中心波长（）和均方根光谱带宽（△m）..17 3.14光纤模拟传输系统或子系统的激光极管或激光模块的复合失真..19 3.15光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管或激光二极管模块的阶和三阶互调失真...21 3.16带或不带尼纤的激光极管或激光模块的微分效率（m）..23 3.17带或不带尼纤的激光.极管的微分电阻r（正向）...24 3.18模拟激光器的载噪比... 3.19光学调制深度...6 4光探测器件测试方法.28 4.1PIN光电极管的噪..8 4.2带或不带尼纤的前光电极管的过剩噪声因子.29 4.3带或不带尼纤的光电极管的小信号截止频率..31 4.4带或不带尼纤的前光电极管（APD）的倍增因子..32 4.5带或不带飞纤的PIN光电极管或写崩光电极管（APD）的开关时间.33 4.6 PIN-FET 细件的响应度...36 4.7 PIN-FET组件的频率响应平HU度（AS/S)...7 4.8PIN-FET组件的输出噪声功率谱密度Pm.38 4.9PIN-FET组件的低频输出噪声功率谱密度（PmLF）和转折频率（f）..39 4.10PIN-FET组件的最小可探测功率40 4.11模拟PIN极管的阶和阶调失真.42
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附录A（资料性附录）标准对照表，.44 附录B（资料性附录）本部分中的条款号与IEC62007-2：1999条款号对照表....45
Ⅱ
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前言
《光纤系统用半导体光电子器件》的预计结构如下： 第1部分：毕本额定值和特性： 第2部分：测量方法 本部分等同采用1EC62007-2：1999《光纤系统用半导体光电子器仁第2部分：测量方法》（英文 版）。
为了便于使用，本部分做了下列编辑性修改： 用小数点“”代料作为小数点的逗号“，”： 删除国际标准的前言： 一为了保持标准结构的统，删除了原文图中的图题部分： 一为使本部分中的图号具有连续性，将原图号“图46～图49”改为“图32～图35”，原图号“图 32图45”改为“图36~图49”； 一为了便于引用，将文中公式进行了编号； 一为在条款号编排1体现的层次更清晰，将IEC620072中的级条款的字母改为分条号，条 款号的对照长在增加的附录B中说明： 故本部分对“B”的说明用注释长述。
本部分的附录A、附录B为资料性附录。
本部分山1业和信息化部电子工业标准化研究所归口。
本部分起单单位：L业和信息化部电子工业标准化研究所。
本部分主要起草人：赵英、陈兰、王幼林。
III1
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光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法
1范围 本部分规定了用于光纤系统子系统的半导体光电子器件（以下简称“器件”）的测量方法。
2规范性引用文件 本章无内容 3光发射器件测量方法 3.1带或不带尾纤的发光二极管（LED）红外发射二极管（IREI激光二极管的辐射功率或正向电 流 3.1....
