ICS29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T29055—2019 代替GB/T29055—2012 太阳能电池用多晶硅片 Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell 2019-06-04发布 2020-05-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29055—2019 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T29055一2012《太阳电池用多晶硅片》.本标准与GB/T29055一2012相比，除编 辑性修改外主要技术变化如下： 一修改了适用范围，将“适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片”改为 “适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）”（见第1章，2012年版的第1章）. 一删除了规范性引用文件GB/T1551和SEMI MF1535 增加了GB/T30860、GB/T30869、 SJ/T11627、SJ/T11628、SJ/T11630、SJ/T11631、SJ/T11632和YS/T28(见第2章，2012 年版的第2章). 一删除了密集线痕的定义，增加了线痕和微裂纹的定义（见3.1和3.2 2012年版的3.1）. 修改了边长分类，由125mm×125mm和156mm×156mm改为156.75mm×156.75mm 建议边长的增减量为1mm的整数倍（见表1 2012年版的表1）. 一将外形尺寸分类与要求合并，并修改了边长、厚度及允许偏差的要求（见4.1 2012年版的 第4章、第5章). 一修改了总厚度变化、弯曲度的要求（见4.1 2012年版的5.2）. 一修改了载流子寿命、间隙氧含量、代位碳含量的要求（见4.2.3、4.3 2012年版的5.3.3、5.3.4、 5.3.5). 增加了表面质量中缺口、微裂纹的要求（见4.4.1）. 修改了表面质量中崩边缺陷的要求（见4.4.2 2012年版的5.1.2）. 一删除了表面质量中的色斑、边缘缺陷、晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求（见2012年版 的5.1.1、5.1.3、5.1.4、5.2). —增加了类单晶硅片的要求（见第4章）. —修改了组批、检验项目、取样及检验结果的判定（见6.2、6.3、6.4 2012年版的7.2、7.3、7.4）. —修改了包装的要求（见7.2.1 2012年版的8.1.1）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、扬州荣德新能源科 技有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、英利能源（中国）有限公司. 本标准主要起草人：万跃鹏、唐骏、游达、林清香、苏磊、李素青、余刚、高长昆、常传波、李建敏、何亮、 梁学勤、齐灵燕、孙培亚、李英叶. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T29055—2012. 54c GB/T29055—2019 太阳能电池用多晶硅片 1范围 本标准规定了太阳能电池用多晶硅片（以下简称硅片）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运 输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容. 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）. 2规范性引用文...
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