ICS29.049 H83 备案号：50546-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11489—2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的 测量方法 Test method for measuring etch pit density(EPD)in low dislocation density indium phosphide wafers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 D 名 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11489—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司 本标准主要起草人：章安辉何秀坤 INDUSTRI TECHNO SJ STANDARDS SJ/T11489—2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的 测量方法 1范围 本标准规定了低位错密度磷化钢(InP)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法. 本标准适用于直径2英寸且EPD小于5000/cm2的圆形InP晶片的EPD的测量. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法原理 对磷化铟抛光片进行磷酸(HPO4)和氢溴酸(HB)混合液腐蚀后，用显微镜观察并记录腐蚀坑数量. 5仪器设备 显微镜：测量视场面积应为0.01cm2或更大. 6化学试剂 6.1磷酸(p=1.685g/mL) 浓度≥85%，分析纯. 6.2氢溴酸(p=1.38g/mL) 分析纯. 7样品制备 7.1确定晶锭的晶向使得样品前表面的法线方向与平行，偏差小于5°，然后再切片. 7.2抛光晶片，使之呈镜面，然后清洗、干燥. 8测量步骤 8.1将H3PO4和HBr混合于烧杯中，比例（体积比）为H3PO4:HBr=2:1. 1 ...
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