ICS31.080 L53 备案号：52031-2015
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T2658.4-2015 代替SJ/T2658.4-1986
半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode Part4:Totalcapacitance
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T2658.42015
前言
SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率RY AND 第7部分：辐射通量 第8部分：辐射强度 第9部分辐射强度空间分布和半强度角； 第10部分：调制带宽 第11部分：响应时间 第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽； 第13部分辐射功率温度系数 第14部分：结温； 第15部分热阻； 第16部分：光电转换效率 本部分为SJ/T2658的第4部分。
本部分依据GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SJ/126584一1986《半导体红外发光二极管测试方法电容的测试方法》，除编辑性修 改外主要技术变化如下 细化了总电容的测量步骤（见5.2）： 补充了总电容测量方法的规定条件（见5.3）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。
本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.41986。
I
SJ/T2658.42015
半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
1范围
本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条 件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。
SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1 总电容totalcapacitance C 在规定的正向电压和频率下，被测器件两端的电容值。
4一般要求
测量总电容的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。
5测量方法
5.1测量原理图 总电容的测量原理图见1。
SJ/T2658.42015
Mc
DUT
说明： DUT被测器件； G稳压源；AND 电流表； 电压表； Mc电容仪； Co隔离电客： L电感。
YOFI总电容测量原理图 5.2测量步骤 总电容的测量按下列步骤进行， a按图1连接测量系统，并进待仪器锁 b）调节电容仪和稳压源，分别给被测器件施加规定的正向电压和规定频率的信号 c)读取电容仪的读数，扣去隔离电容C的等效值后即为被测器件的总电容值 5.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： a)环境温度； b)正向电压； 电容仪提供信号的频率和幅值。
2
SJ/T2658.4--2015
中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 SJ/T2658.4-2015 * 中国电子技术标准化研究院编制 中国电子技术标准化研究院发行 电话：（010）64102612传真：（010） 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址： * 开本：880×12301/16印张：2字数：12千字 2015年12月第一版2015年12月第一次印刷 印数：200册定价：20.00元 不得 ：（010）...
