ICS31.080 L53 备案号：52034-2015一
中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.7-2015 代替SJ/T2658.7-1986
半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode Part7:Radiantflux
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T2658.7-2015
前言
SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率TRY AND 第7部分：辐射通量 第8部分：辐射强度 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角； 第10部分：调制带宽 第11部分：响应时间TE 第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽； 第13部分：辐射功率温度系数 第14部分：结温；ECHNOI 第15部分热阻； 第16部分：光电转换效率 本部分为SJ/T2658的第7部分。
本部分按照GB/T1.1-22009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SI/T26587-1986《半导体红外发光二极管测试方法辐射通量的测试方法》，除编辑 性修改外主要技术变化如下： 修改了辐射通量的测量原理图（见图1）； 细化了辐射通量的测量步骤（见5.2）； 补充了辐射通量测量方法的规定条件（见5.3） 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。
本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.7-1986。
SJ/T2658.7-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
1范围
本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定 条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。
SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1 辐射通量radiantflux Pe 在规定的正向电流作用下，器件所辐射的全部通量。
4一般要求
测量辐射通量的一般要求应符合SJ/T2658.1。
5测量方法
5.1测量原理图 辐射通量的测量原理图见图1。
SJ/T2658.7-2015
指示用电表 积分球”探测头
DUT光度探测系统
遮光屏
说明： DUT被测器件 G恒流源 A电流表。
注1：被测器件发射的光辐射经积分球壁多次反射在球壁产生与辐射通成比例的均匀光：光度探测系统的探测 头位于积分球内壁测量辐射通量：遮光屏为探测系统屏蔽了来自被测器件的直接辐射 注2：可采用变角光度什测量。
INO 被测器件、通光屏以及光度探测系统的探测头与积分球相表面积应该小很多；球内壁和遮光屏表面应有一层 高均匀度、高反射系数不小于08）的漫反射镀层，球和光度探测系统组合应该校准，（应该考虑到辐射通量由
图1车辐射通量的测量原理图 5.2测量步骤 辐射通量的测量按下列步骤进行 a)
测头直接受到光辐射； b)调节电流源，给被测器件施加规定的正向电流I，用光度探测系统测量辐射通量值①e。
5.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： a)环境温度； b)正向电流F。
2
SJ/T2658.7-2015
中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 SJ/T2658.7-2015 * 中国电子技术标准化研究院编制 中国电子技术标准化研究院发行 电话：（010）64102612传真：（010） 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址： * 开本：880×12301/16印张：2字数：12千字 2015年12月第一版2015年12月第一次印刷 印数：200册定价：20.00元 不得 ：（010）...
