T/IAWBS XXX-XXXX 英寸碳化硅单晶抛光片.pdf

T/IAWBS XXX-XXXX ICS:29.045 中国文献标准分类号：H80/84 备案号 T 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准 T/IAWBS XXX-XXXX 代替T/IAWBS XXX-XXXX 6英寸碳化硅单晶抛光片 Silicon Carbide monocrystalline polished wafer (初稿草案) XXX-XX-XX发布 XXX-XX-XX实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 发布 联盟团体标准委员会 I T/IAWBS XXX-XXXX 前言 本标准依据GB/T20004制定，并按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标委会归口 本标准起草单位： 本标准主要起草人： II T/IAWBS XXX-XXXX 6英寸碳化硅单晶抛光片 1范围 本标准规定了6英寸4H及6H碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试 验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等. 本标准适用于6英寸4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片.产品主 要用于制作半导体及电力电子器件的外延衬底. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1031产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828-1逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查） GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目检测试方法 GB/T13387硅及其它电子材料品片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 GB/T30656-2014碳化硅单晶抛光片 GB/T30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法 GB/T31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 GB/T33236-2016多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法 SEMI M55-0304 specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers 3术语和定义 下列术语和定义适用于本标准. 3.1六方空洞Hexagonal Void 独立于晶片单晶区的具有六角形特征的空洞. 3.2多型polytype 多型是指由同种化学成分所构成的晶体，当其晶体结构中的结构单位层相同，但结构单位层之间的 1 ...