ICS29.045 CCS H83 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11865—2022 功率器件用中150mmn型碳化硅衬底 150 mm n-type silicon carbide substrate for power devices 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11865-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中国电子技术标准化研究院归口. 本文件起草单位：山东天岳先进科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集 团公司第十三研究所、中国电子科技集团公可第五十五研究所、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、 全球能源互联网研究院有限公司、株洲中 代电气股份有限公司 中国电子科技集团公司第四十六研 究所、东莞市天域半导体利技有限公司 江苏卓远半 本文件主要起草人 含 宋生、张红岩、张秋、高 文涛、杨世兴、房玉龙、李 赞、冯淦、杨霏、李诚腾、 上英 、韩景瑞、李国平. IND ECHNO SJ STANDARDS SJ/T11865—2022 功率器件用中150mmn型碳化硅衬底 1范围 本文件规定了功率器件用150mmn型碳化硅(SiC)衬底的术语、要求、检验方法、检验规则、标 志、包装、运输和储存. 本文件适用于经抛光后制备的中150mmn型SiC衬底，晶型为4H. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过 AND INFORA 中的规范 用间构成本 .其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适 U :不注日期的引用文件，其最 配放纯 泡的修改单)适用于本 文件. GB/T2828 抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQ)检索的批检验抽样计划 GB/T6616 硅片及膜薄层电阻测试方法 接触流 GB/T1338 硅及其它官电子材料晶片参老长度测量方法 GB/T 13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T 14264 羊导体科术语 GB/T 24578 硅片表面金属的反射X光荧光光谱测式方法 TECI GB/T 25915. 2021 净室及相受坏境第一部分：技粒子浓度划分尘洁净度等级 GB/T 30666 2014碳化硅单晶抛光片鑫 8 GB/T 30866 碳化硅单品片直径测试方法 GB/T30867 碳化硅单品系原度和总厚度变化试方 GB/T 31s5n 碳化硅单晶抛光微管度无损检测方法 GB/T 321 8 食化镓单晶衬底片射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 GB/T32278碳化硅单晶片平整度测试方法 SJ/T11500 碳化硅单晶晶向的测试方法 MOOTON SJ/T1150 碳残单晶晶型的测试方法 SJ/T11503 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 SJ/T11504 碳化硅单品抛光片表面质量的测试方法 YS/T 26 硅片边缘轮 金法 3术语和定义 CANDARDS GB/T14264和GB/T30656一2014界定的木语和定义适用于本文件. 3.1 碳化硅衬底silicon carbide substrate 从碳化硅单晶经切割、研磨、抛光、清洗等加工步骤制备的符合外延要求的圆形衬底. 3.2 合格质量区fixed quality area(FQA) 衬底的合格质量区是扣除边缘去除区的剩余区域，衬底参数在这一区域被测量并提供.中150mm n型...
SJ/T 11865-2022 功率器件用Φ150 mm n型碳化硅衬底.pdf
