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GB/T 34326-2017 表面化学分析深度剖析AES和 XPS深度剖析时离子束对准方法及其 束流或束流密度测量方法.pdf

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中华人民共和国国家标准

GB/T34326-2017/ISO16531:2013

表面化学分析深度剖析AES和 XPS深度剖析时离子束对准方法及其 束流或束流密度测量方法

Surfacechemical analysis-Depth profiling-Methodsfor ionbeamalignment and the associated measurement of current or current densityfor depthprofilinginAESandXPS

(ISO16531:2013 IDT)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布

目次

前言引言 IV1范围2规范性引用文件3术语、定义、符号和缩略语4系统要求.5离子束对准方法6何时进行离子束对准及其检查 10附录A(资料性附录)离子束对准优劣情况下AES深度剖析谱图对比 11附录B(资料性附录)使用同轴电极杯对准 12参考文献 13

前言

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草.

本标准使用翻译法等同采用ISO16531:2013《表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法)

本标准由全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC38)提出并归口.

本标准起草单位:中国计量科学研究院.

本标准主要起草人:王海、王梅玲、张艾蕊、宋小平.

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