ICS29.045 H80/84 WB AOUUT UUO 6 团体标准 T/IAWBS012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 共焦点微分干涉光学法 Test Method for Surface Quality and Micropipe Density of Silicon Carbide Single Crystal Polishing Wafers--Confocal and Differential Interferometry Optics 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 发布 T/IAWBS 012—2019 目次 目录 前言 ..2 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 .1 1范围. 2规范性引用文件 .......1 3术语和定义 .1 4原理 5测试仪器 ....2 6测试样品 2 7测试环境 2 8测试程序 .2 9干扰因素 3 10精密度. 11测试报告 A.2划痕 .5 A.3凹坑. 5 A.4凸起 .6 A.5颗粒 6 I T/IAWBS 012—2019 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第四 十六研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、中 国电子科技集团公司第五十五研究所. 本标准主要起草人：李晖、高飞、林健、程红娟、郑风振、杨丹丹、窦瑛、李佳、侯 晓蕊、王立忠、李忠辉、余宗静、陈鹏、韩超. Ⅱ ...
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