WJ 中华人民共和国兵器行业标准 WJ2100-2004 FL5960 代替WJ2100-1992 9 20071185 硅光电二极管、硅雪崩光电二极管 测试方法 Determination of silicon photodiode or avalanche photodiode 2004一09一01发布 2004一12一01实施 国防科学技术工业委员会发布 : WJ2100-2004 目次 前言 IⅡ 1范围 ....1 2规范性引用文件. ..1 3一般要求. ..2 3.1环境条件 .2 3.2仪器设备... .2 3.3电源.. .3 3.4光学参数. 3 4详细要求 ...3 4.1反向击穿电压. .3 4.2暗电流（方法1）.. 4.3暗电流（方法2）... .4 4.4正向压降. ..5 4.5直流电流响应度... ..6 4.6交流电流响应度..... .6 4.7脉冲电流响应度（方法1）. ..8 4.8脉冲电流响应度（方法2）... 10 4.9自动测试交流电流响应度随偏压变化曲线.... .11 4.10直流光谱响应曲线、光谱响应范围和峰值响应波长... .12 4.11 交流光谱响应曲线、光谱响应范围和峰值响应波长13 4.12 响应时间 ..14 4.13. 电容 .15 4.14直流倍增因子.. .15 4.15 交流倍增因子 ......16 4.16 自动测试交流倍增因子随偏压变化曲线 ....18 4.17噪声等效功率（方法1）， ....19 4.18噪声等效功率（方法2）20 4.19噪声等效功率（方法3）.. ....21 4.20反向击穿电压温度系数.：... 22 4.21直流电流响应度一偏压一温度曲线23 4.22 交流电流响应度一偏压一温度曲线 .24 4.23直流电流响应度均匀性..... .25 4.24交流电流响应度均匀性 .26 4.25 直流电流串扰因子. ..27 4.26交流电流串扰因子....... ...28 4.27 过渡宽度（方法1） 29 4.28 过渡宽度（方法2）. 30 ...
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