ICS31.020 L10 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29784.4-2013 电子电气产品中多环芳烃的测定 第4部分：气相色谱法 Determination of polycyclic aromatic hydrocarbons in electrical and electronic products-Part 4:Gas chromatography 2013-10-10发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 30 中国国家标准化管理委员会 涂查伪 GB/T29784.4-2013 前言 GB/T29784《电子电气产品中多环芳烃的测定》分为四个部分： ——第1部分：高效液相色谱法； —第2部分：气相色谱-质谱法； —第3部分：液相色谱-质谱法； ——第4部分：气相色谱法. 本部分为GB/T29784的第4部分. 本标准按照GB/T1.1一2009和GB/T20001.4一2001给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由全国电工电子产品与系统的环境标准化技术委员会(SAC/TC297)提出并归口. 本部分起草单位：深圳市检验检疫科学研究院、中华人民共和国深圳出入境检验检疫局、中华人民 共和国广东出入境检验检疫局、中华人民共和国宁波出入境检验检疫局、中华人民共和国南京出人境检 验检疫局、深圳市计量质量检测研究院、中国电子技术标准化研究院. 本部分主要起草人：刘志红、任聪、李彬、余淑媛、吴景武、李英、周明辉、陈建国、何重辉、陈泽勇、 武海云. I GB/T29784.4-2013 电子电气产品中多环芳烃的测定 第4部分：气相色谱法 警告：使用本部分的人员应有正规实验室工作的实践经验.本部分并未指出可能的安全问题. 使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的条件. 1范围 GB/T29784的本部分规定了电子电气产品聚合物材料中多环芳烃的气相色谱测定方法. 本部分适用于电子电气产品聚合物材料中多环芳烃的测定. 2规范性引用文件 下列文件对于本部分的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本部 分，凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本部分. GB/Z20288电子电气产品中有害物质检测样品拆分通用要求 GB/T29784.1一2013电子电气产品中多环芳烃的测定第1部分：高效液相色谱法 3术语和定义 GB/T29784.1一2013界定的术语和定义适用于本文件. 4原理 将分析试样破碎后，加入萃取溶剂进行微波辅助萃取，萃取液经硅胶固相萃取柱净化后，浓缩、定 容，采用内标法，用气相色谱法分析. 5试剂和材料 除非另有说明，本部分所用试剂均为分析纯. 5.1正已烷. 5.2丙酮. 5.3二氯甲烷. 5.4氮气：纯度≥99.99%. 5.5正己烷二氯甲烷(32)：由正己烷(5.1)和二氯甲烷(5.3)按体积比配制. 5.6正己烷丙酮(11)：由正己烷(5.1)和丙酮(5.2)按体积比配制. 5.7多环芳烃标准物质：纯度≥96%. 5.8内标物：十二氘代(CAS No.1520-96-3) 纯度≥99%. 5.9多环芳烃标准溶液：准确称取0.1g(精确至0.1mg)多环芳烃标准物质(5.7)和0.1g(精确至 0.1mg)内标物(5.8)于100mL容量瓶中，用二氯甲烷(5.3)溶解并定容作为标准储备液，其浓度为 1 ...

ICS31.020 L10 GE 中华人民共和国国家标准 GB/T29784.2-2013 电子电气产品中多环芳烃的测定 第2部分：气相色谱-质谱法 Determination of polycyclic aromatic hydrocarbons in electrical and electronic products-Part 2:Gas chromatographic method with mass spectrometric detection 2013-10-10发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29784.2-2013 前言 GB/T29784《电子电气产品中多环芳烃的测定》分为四个部分： ——第1部分：高效液相色谐法； 一第2部分：气相色谱-质谱法； ——第3部分：液相色谱-质谱法； —第4部分：气相色谱法. 本部分为GB/T29784的第2部分. 本标准按照GB/T1.1--2009和GB/T20001.4一2001给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由全国电工电子产品与系统的环境标准化技术委员会(SAC/TC297)提出并归口. 本部分起草单位：中华人民共和国江苏出入境检验检疫局、江苏省检验检疫科学技术研究院、深圳 市计量质量检测研究院、中华人民共和国深圳出入境检验检疫局，中华人民共和国宁波出人境检验检疫 局、中国电子技术标准化研究院. 本部分主要起草人：何重辉、曹丽华、陈建国、洪颖、王金陵、徐晓萍、刘志红、幸苑娜、殷居易、高坚、 武海云、王亚春、张赛男. GB/T29784.2-2013 电子电气产品中多环芳烃的测定 第2部分：气相色谱-质谱法 警告：使用本部分的人员应有正规实验室工作的实践经验.本部分并未指出可能的安全问题. 使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关规定的条件. 1范围 GB/T29784的本部分规定了电子电气产品聚合物材料中多环芳烃的气相色谱-质谱测定方法. 本部分适用于电子电气产品聚合物材料中多环芳烃的测定. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件，仅注口期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/Z20288电子电气产品中有害物质检测样品拆分通用要求 GB/T29784.1一2013电子电气产品中多环芳烃的测定第1部分：高效液相色谱法 3术语和定义 GB/T29784.1一2013界定的术语和定义适用于本文件. 4方法提要 将分析试样破碎后，经超声萃取，必要时再经固相萃取柱净化后，浓缩、定容，用气相色谱质谱法 (GC-MS)测定，外标法定量. 5试剂和材料 除非另有规定，仅使用分析纯试剂. 5.1液氮：工业级. 5.2甲苯：色谱纯. 5.3正已烧. 5.4二氯甲烷. 5.5异丙醇. 5.6正己烷二氯甲烷溶液(73)：将正己烷(5.3)和二氯甲烷(5.4)按体积比7：3配制. 5.7氮气：纯度≥99.99%， 5.8氮气：纯度≥99.999%. 5.9多环芳烃标准物质：纯度≥96%， 5.10多环芳烃混合标准溶液：准确称取适量多环芳烃标准物质(5.8)，用甲苯(5.2)配制成所需浓度的 ...

GB/T29784.1-2013 前言 GB/T29784《电子电气产品中多环芳烃的测定》分为四个部分： —第1部分：高效液相色谱法； —第2部分：气相色谱-质谱法； —第3部分：液相色谱-质谱法； ——第4部分：气相色谱法. 本部分为GB/T29784的第1部分. 本标准按照GB/T1.1一2009和GB/T20001.4一2001给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由全国电工电子产品与系统的环境标准化技术委员会(SAC/TC297)提出并归口. 本部分起草单位：深圳市计量质量检测研究院、中华人民共和国宁波出入境检验检疫局、中华人民 共和国南京出人境检验检疫局、中华人民共和国深圳出人境检验检疫局、中国电子技术标准化研究院、 中国电器科学研究院有限公司. 本部分主要起草人：幸苑娜、曾泳艇、李碧芳、陈建国、何重辉、陈泽勇、刘志红、武海云、刘功桂. I GB/T29784.1-2013 电子电气产品中多环芳烃的测定 第1部分：高效液相色谱法 警告：使用本部分的人员应有正规实验室工作的实践经验.本部分并未指出可能的安全问题. 使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的条件. 1范围 GB/T29784的本部分规定了电子电气产品聚合物材料中多环芳烃的高效液相色谱测定方法. 本部分适用于电子电气产品聚合物材料中多环芳烃的测定. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T6682分析实验室用水规格和试验方法 GB/Z20288电子电气产品中有害物质检测样品拆分通用要求 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 多环芳烃polycyclic aromatic hydrocarbons(PAHs) 多环芳烃是指表1中16种碳氢化合物. 表116种多环芳烃 序号 中文名称 英文名称 CAS No. 1 萘 Naphthalene 91-20-3 2 苊烯 Acenaphthylene 208-96-8 3 Acenaphthene 83-32-9 4 芴 Fluorene 86-73-7 5 菲 Phenanthrene 85-01-8 6 葱 Anthracene 120-12-7 荧 Fluoranthene 206-44-0 8 Pyrene 129-00-0 9 苯并[a]葱 Benzola]anthracene 56-55-3 10 Chrysene 218-01-9 1 ...

ICS31.020 L10 中华人民共和国国家标准 GB/T29783—2013 电子电气产品中六价铬的测定 原子荧光光谱法 Determination of chromium (V)in electrical and electronic products- Atomic fluorescence spectrometry 2013-10-10发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 30 中国国家标准化管理委员会 发布 伪 GB/T29783—2013 电子电气产品中六价铬的测定 原子荧光光谱法 警告：使用本标准的人员应有正规实验室工作的实践经验.本标准并未指出可能的安全问题. 使用者有贵任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的条件. 1范围 本标准规定了原子荧光光谱法测定电子电气产品中六价铬的分析方法. 本标准适用于电子电气产品中的聚合物材料中六价铬的测定. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 .件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T6682分析实验室用水规格和试验方法 GB/T26125电子电气产品六种限用物质（铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚）的测定 (GB/T26125-2011 IEC62321:2008 IDT) 3原理 样品中的六价铬用甲苯-碱液提取液提取后，以硝酸调节H值至2~4后，过阳离子交换柱，三价 铬在柱上保留，六价铬直接流出，流出液经适当稀释后，以原子荧光光谱测定溶液中铬的含量，从而计算 出样品中六价铬的含量. 4仪器设备 4.1原子荧光光谱仪，配有铬(Cr)元素高强度空芯阴极灯及相应检测器（检测波长357nm士10nm) 电热蒸发样品导入装置和原子化装置（温度>900℃）或相当者. 4.2阳离子交换小柱：强酸型固相萃取小柱，柱容量≥2meq或相当者. 4.3样品研磨设备. 4.4分析天平：精度为0.1mg. 4.5微波辅助萃取装置或其他可加热至160℃的装置，配备可耐压2MPa的密闭提取罐，容量大于或 等于25mL. 4.6离心机. 4.7pH计. 5试剂和材料 除非另有说明，在分析中仅使用GB/T6682规定的一级水或相当纯度的水，仅使用分析纯及以上 1 GB/T29783-2013 的试剂. 5.1硝酸(HNO3):=1.4g/mL. 5.2氢氧化钠(NaOH). 5.3碳酸钠(Na2CO3). 5.4提取液(20mg/mL NaOH30mg/mLNa2CO3):称取20 g NaOH和30gNa2CO3溶于水中，配 成1L提取液，密封保存于聚乙烯瓶中.pH值应不低于11.5. 5.5六价铬标准储备液：100mg/L 于4℃下保存. 5.6六价铬标准工作溶液(1.0mg/L):取1.00mL六价铬标准储备溶液(5.5)加入100mL容量瓶 中，以水定容. 5.73mol/LHNO3溶液：量取270mL浓硝酸(5.1)，加水定容至1000mL. 5.80.01mol/LHNO3溶液：量取0.9mL浓硝酸(5.1)，加水定容至1000mL. 5.9甲苯. 6样品制备 将样品按GB/T26125进行手工剪切、粗磨、细磨，破碎至1mm以下，备用. 7分析步骤 7.1萃取 称取0.1g样品（精确称量至0.1mg)于密闭提取罐中.用量筒量取10mL提取液(5.4）和5mL 甲苯(5.9)加人到每个试样中，装入密闭提取罐中；盖好密闭提取罐，放入微波辅助萃取...

ICS01.040.13 Z04 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29770—2013 电子电气产品制造商与回收处理 企业间回收信息交换格式 End of life information exchange for electrical and electronic equipment between manufacturers and recyclers (IEC TR 62635 DC:2011 Guidelines for end of life information provision from manufacturers and recyclers and for recyclability rate calculation of electrical and electronic equipment MOD) 2013-10-10发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T29770-2013 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准使用重新起草法修改采用IEC TR62635DC:2011《电子电气产品制造商与回收处理企业间 生命末期信息条款与可再生利用率的计算指南》(Guidelines for end of life information provision from manufacturers and recyclers and for recyclability rate calculation of electrical and electronic equipment)中关于制造商和回收处理企业间回收信息交换格式的内容. 本标准与IEC TR62635DC:2011的技术性差异如下： ——删除了国际标准中与可再生利用率计算有关的内容，包括第1章的全部内容、第4章的部分内 容，以及第3部分的全部内容， 关于规范性引用文件，本标准做了具有技术性差异的调整，调整的情况集中反映在第2章规 范性引用文件”中，删除了本标准未引用的3个规范性引用文件“ISO22628一2002 Road Ve- hicles-Recyclability and recoverability-Calculation method"、“IEC PT62542 Standardization of environmental aspects-Glossary of terms" “1EC62430(2009-02)Ed.1.0 Environmentally conscious design for electrical and electronic products". —一修改了“3.2废弃物”的定义，由“拥有者丢弃、打算丢弃或必须丢弃的任何物质或物体.”修改 为“拥有者不再使用且已经丢弃或放弃的任何物质或物体”，以保持与我国现有法规与标准协 调一致. —修改了“3.4生命末期处理”的定义，由“将废弃物转运至回收利用设施或准备处置后的任何行 为，包括拆卸、材料分离和处置”修改为“将废弃物转运至回收利用设施后的任何行为，包括拆 卸、材料分离和回收利用”，以保持与我国现有法规与标准协调一致. —修改了“3.6再使用”的定义，由“对一个已结束使用阶段的产品或其零/部件，按其原用途被重 新使用的活动”修改为“在不违背相关法律、规章或标准前提下，按其原用途继续使用废弃产品 或其零/部件、元/器件或经清理、维修后按其原用途继续使用的行为”，以保持与我国现有法规 ...

ICS01.040.13 Z04 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29769—2013 废弃电子电气产品回收利用术语 Waste electrical and electronic products recovery-Terminology 2013-10-10发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 到涂真伪 GB/T29769-2013 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由国家标准化管理委员会提出. 本标准由全国电工电子产品与系统的环境标准化技术委员会(SAC/TC297)归口. 本标准主要起草单位：中国质量认证中心、深圳市计量质量检测研究院. 本标准主要起草人：姜文博、陈欢、姚婷婷、骆明非、陈泽勇、于洁、马奇菊、李一冉. 1 GB/T29769—2013 废弃电子电气产品回收利用术语 1范围 本标准规定了废弃电子电气产品回收利用的基本术语. 本标准适用于废弃电子电气产品回收利用的管理、技术研究、开发、经营、标准制定等工作，非电子 电气产品回收利用的相关工作也可参考使用. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/Z20288一2006电子电气产品中有害物质检测样品拆分通用要求 GB/T20861一2007废弃产品回收利用术语 GB/T21474一2008废弃电子电气产品再使用及再生利用体系评价导则 GB/T23685一2009废电器电子产品回收利用通用技术要求 H527一2010废弃电器电子产品处理污染控制技术规范 3术语和定义 3.1 拆解disassembly 通过人工或机械方式将废弃电子电气产品(3.8)进行拆卸、解体，以便于处理(3.3)的活动. 注：改写GB/T23685一2009，定义3.5. 3.2 拆解信息dismantling information 为使处理企业(3.4)正确和环境无害(3.10)地处理废弃电子电气产品(3.8)，需向其提供的相关信 息.此类信息可以通过手册或电子媒介(CD-ROM或在线服务)形式提供. 3.3 处理treatment 对废弃电子电气产品(3.8)进行除污、拆解和回收利用等活动. 注：改写GB/T23685一2009，定义3.9. 3.4 处理企业recycler 从事废弃电子电气产品(3.8)处理(3.3)活动的法人，需具备处理资质并拥有相应的处理设施和 场地. 3.5 处置disposal 采用焚烧、填埋或其他改变废弃物的物理、化学、生物特性的方法，达到减量化或者消除其危害性的 1 ...

ICS35.220.01 L.64 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29768-2013 信息技术 射频识别 800/900MHz空中接口协议 Information technology-Radio frequency identification- Air interface protocol at 800/900 MHz 2013-09-18发布 2014-05-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T29768-2013 目次 前言 引言 1范围 1 2规范性引用文件1 3术语和定义 .1 4符号和缩略语1 4.1符号1 4.2缩略语 2 5物理层和媒体访问控制层2 5.1通信交互模型 ..2 5.2读写器到标签的物理层和媒体访问控制层 3 5.2.1一般要求 5.2.2工作频率3 5.2.3FHSS参数3 5.2.4邻信道功率泄漏比 3 5.2.5读写器打开和关闭载波时的射频信号包络4 5.2.6读写器到标签的射频信号包络 5 5.2.7数据编码 5 5.2.8前导码 6 5.3标签到读写器的物理层和媒体访问控制层7 5.3.1标签上电7 5.3.2调制方式 5.3.3数据编码7 5.3.4反向链路颜率12 5.4数据传输顺序12 5.5链接时序12 6协议工作方式13 6.1防碰撞机制 13 6.2标签存储区结构 15 6.2.1概述 15 6.2.2标签信息区15 6.2.3编码区 15 6.2.4安全区 16 6.25用户区17 6.3标签标志位19 6.3.1匹配标志 ..19 I GB/T29768—2013 19 6.3.2会话和盘点标志 6.4标签状态 20 6.4.1一般要求 2 6.4.2状态转换 20 6.5读写器命令集 21 6.5.1一般要求 21 6.5.2分类命令 22 6.5.3启动查询命令 23 6.5.4重复查询命令 24 6.5.5分裂命令 25 6.5.6分散命令 25 6.5.7收缩命令 26 6.5.8编码获取命令 27 6.5.9应答错误命令 27 6.5.10安全参数获取命令 28 6.5.11请求异或鉴别命令 28 6.5.12 异或鉴别命令 29 6.5.13单向异或鉴别命令 30 6.5.14双向异或鉴别命令 31 6.5.15请求鉴别命令 32 6.5.16 鉴别命令 33 6.5.17单向鉴别命令34 6.5.18 双向鉴别命令 34 6.5.19 安全通信命令 35 6.5.20 句柄更新命令...

ICS35.040 L80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29767-2013 F 信息安全技术公钥基础设施 桥CA体系证书分级规范 Information security techniques-Public key infrastructure- Bridge Certification Authority leveled certificate specification 2013-09-18发布 2014-05-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29767-2013 引言 本标准对桥CA证书策略的安全保证级别规定了分级标准，将桥CA体系证书划分为四个应用级 别和测试级共五个等级，并说明了对各级别的技术要求.四个应用级别是：初级、基本级、中级、高级，其 安全级别逐次增高.测试级证书是用于交叉认证测试的证书. 本标准参照RFC3647 对各级别的证书策略做出了明确说明，用以指导设计者如何设计和实现相 应级别的证书策略.每个级别针对九个方面的不同内容做出了要求，保证了证书策略从初级到高级，其 安全程度随之递增，其适应的安全环境也随之更加严格. ...

ICS35.040 L80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29766-2013 信息安全技术网站数据恢复 产品技术要求与测试评价方法 Information security technology- Technical requirements and testing and evaluating approaches of website data recovery products 2013-09-18发布 2014-05-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国 国家标准 信息安全技术网站数据恢复 产品技术要求与测试评价方法 GB/T29766-2013 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址 spc.net.cn 总编室：(010)64275323发行中心：(010)51780235 读者服务部：(010)68523946 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销 开本880×12301/16印张2.75字数78千字 2013年10月第一版2013年10月第一次印刷 书号：1550661-47675定价39.00元 如有印装差错由本社发行中心调换 ：(010)68510107 GB/T29766-2013 目 次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 3术语和定义 1 4网站数据恢复产品等级划分2 5技术要求 4 5.1基本级产品要求 4 5.1.1安全功能要求 4 5.1.2安全保证要求 7 5.2增强级产品要求 8 5.2.1安全功能要求 8 5.2.2安全保证要求 12 6测评方法 15 6.1测试环境与工具15 6.2基本级产品测试评价方法 16 6.2.1安全功能要求测试 16 6.2.2安全保证要求评估 22 6.3增强级产品测试评价方法 23 6.3.1安全功能要求测试 23 6.3.2安全保证要求评估 31 附录A(资料性附录)性能指标与测试 35 A.1性能指标 35 A.1.1监控响应时间 35 A.1.2篡改恢复时间 35 A.1.3网络影响 .35 A.1.4稳定性 35 A.2性能测试 35 A.2.1监控响应时间 35 A.2.2篡改恢复时间 35 A.2.3网络影响 .35 A.2.4稳定性 36 附录B(资料性附录)网站数据恢复过程示例37 B.1备份环节 37 I ...

ICS35.040 L80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29765—2013 信息安全技术 数据备份与恢复产品技术要求 与测试评价方法 Information security technology- Technical requirements and testing and evaluating method for data backup and recovery products 2013-09-18发布 2014-05-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T29765—2013 目 次 前言 Ⅲ 1范围 2规范性引用文件 1 3术语和定义 4数据备份与恢复产品等级划分 2 5技术要求 5.1基本级产品要求 .4 5.1.1功能要求 5.1.2安全功能要求 5 5.1.3安全保证要求 .7 5.2增强级产品要求 8 5.2.1功能要求 8 5.2.2安全功能要求 .10 5.2.3安全保证要求 11 6测试方法 .14 6.1概述 .14 6.1.1测试环境 14 6.1.2通用测试步骤 15 6.2基本级产品测试 .15 6.2.1功能测试 15 6.2.2安全功能要求测试 19 6.2.3安全保证要求评估 22 6.3增强级产品测试 24 6.3.1功能测试 24 6.3.2安全功能要求测试30 6.3.3安全保证要求评估 33 附录A(资料性附录)性能指标与测试 38 参考文献 41 I GB/T29765-2013 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国信息安全标准化技术委员会(SAC/TC260)提出并归口. 本标准起草单位：中国信息安全认证中心、北京信息安全测评中心、清华威视数据安全研究所. 本标准主要起草人：刘海峰、布宁、侯海波、陈晓桦、刘宏、张格、谢文华、李颖涛、段静辉、林森、吴迪. ...

. ICS35.240.60 A13 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29624-2013 国际贸易托运单样式 Layout key of consignment for the international trade (UN/CEFACT Remendation No.22 1996 Layout key for standard consignment instructions MOD) 2013-07-19发布 2013-11-30实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29624—2013 目次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4托运单样式要求 2 5应用原则 3 6托运单所需的数据元 .3 7数据栏目 8 附录A(资料性附录)国际贸易托运单样式15 参考文献 16 I GB/T29624-2013 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准使用重新起草法修改采用联合国贸易便利化与电子业务中心(UN/CEFACT)第22号建议 书《联合国托运单样式》(1996年版本). 本标准与UN/CEFACT第22号建议书(1996年版本)的技术性差异如下： 一增加了“规范性引用文件”一章； —一对第3章中的术语的定义作了修改； 一在第4章中增加了4.1； —按照GB/T14392一2009的规定，对4.2、4.3、4.4、4.5作了相应修改. 本标准与UN/CEFACT第22号建议书(1996年版本)的结构性差异如下： —UN/CEFACT第22号建议书的第Ⅲ章对应本标准的第1章； —UN/CEFACT第22号建议书的第N章对应本标准的第3章； —UN/CEFACT第22号建议书的第V章对应本标准的第4章； —UN/CEFACT第22号建议书的第章对应本标准的第5章； -一UN/CEFACT第22号建议书的第章对应本标准的第6章； --UN/CEFACT第22号建议书的第章对应本标准的第7章. 本标准由全国电子业务标准化技术委员会(SAC/TC83)提出并归口. 本标准起草单位：厦门英诺尔电子科技股份有限公司、中国标准化研究院、深圳市联合纵横国际货 运代理有限公司、中国际电子商务有限公司、天津港（集团）有限公司、青岛港（集团）有限公司宁波港 (集团)有限公司. 本标准主要起草人：胡涵景、李金华、景洪德、胡荣、王凌云、张荫芬、李文文、张蕾、刘挺、王志刚、 佟文会、江洲. ...

ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准雅 GB/T29508-2013 300mm硅单晶切割片和磨削片 300 mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices 2013-05-09发布 2014-02-01实施 303 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 利涂真伪 GB/T29508-2013 300mm硅单晶切割片和磨削片 1范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.50cm~200cm的硅单晶切割片和 磨削片（简称硅片）产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等. 本标准适用于直径300mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片，产品将进一步加工成抛光片， 用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片. 2规范性引用文件 .下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T26067硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504300mm硅单晶 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 SEMI MF1390硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4技术要求 4.1物理性能参数 硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、间隙氧含量、代位碳含量应符合GB/T29504的规定. 1 GB/T29508-2013 4.2几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定.硅片在表1中未列出的参数规格，按供需双方协商提供. 用户有特殊要求的，由供需双方协商提供. 表1硅片几何参数要求 项目 指标 硅片直径/mm 301 直径允许偏差/mm 士0.3 硅片厚度（中心点）/um 910 切 厚度允许偏差/um 割 士15 片 总厚度变化/um 20 翘曲度/um 50 崩边/mm 0.8 切口 有 硅片直径/mm 300 直径允许偏差/mm ±0.2 磨 硅片厚度（中心点）/m 820 削 厚度允许偏差/um ±15 片 总厚度变化/pm 1.2 翘曲度/gm 45 崩边 无 4.3晶体完整性 硅片的晶体完整性应符合GB/T29504的规定. 4.4表面取向 4.4.1硅片的表面取向为<100>. 4.4.2硅片表面取向偏离不大于0.5°. 4.5基准标记 直径300mm硅片切口的基准轴取向及尺寸应符合表2要求. 表2硅片切口的要求 项目 指标 切口基准轴取向及偏差 <110>±1° 深度/mm 1.00...

ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标雅 GB/T29506—2013 300mm硅单晶抛光片 300 mm polished monocrystalline silicon wafers 2013-05-09发布 2014-02-01实施 70 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 数码防伪 中国国家标准化管理委员会 GB/T29506—2013 300mm硅单晶抛光片 1范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100晶向、电阻率0.50cm~200cm规格的硅单晶抛光片 的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等. 本标准适用于直径300mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足 集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T19922硅片局部平整度非接触式标准测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T26067硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504300mm硅单晶 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T29508300mm硅单品切割片和磨削片 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 SEMI MF1390硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. GB/T29506—2013 4要求 4.1物理性能参数 硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、氧含量、碳含量应符合GB/T29504的要求. 4.2几何参数及表面要求 硅抛光片的几何参数应符合表1的要求.硅抛光片在表1中未列出的参数规格，由供需双方 协商解决. 表1300mm硅抛光片几何尺寸参数及表面质量 项目 指标 硅片厚度（中心点）/um 775 厚度允许偏差/um 士20 总厚度变化/pm 1.5 翘曲度/um 45 总平整度(TIR)/uIm 1.0 局部平整度(SFQR)(25mmX25mm)/m 0.10 ≥0.12m i 80 局部光散射体LLSs ≥0.16m 40 (正表面)/（个/cm2) < ≥0.2gm < 15 表面金属含量/（原 Cu/Cr/Fe/Ni 1.0X100 子数/cm2) Al/Zn/K/Na/Ca 5.0X1010 体金属（铁）含量/（原子数/cm3) 5.0X1010 4.3晶体完整性...

ICS29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T29505—2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 数码防伪 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T29505—2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 1范围 本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备 和程序，并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义. 本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量；也可用于其他类型的平坦晶片材料，但不适用于晶片边 缘区域的粗糙度测量. 本标准不适用于带宽空间波长≤10nm的测量仪器. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 自相关函数autocorrelation function 强谱线密度函数的傅立叶转换.它表示一个表面轮廓和经滑移或横向移动的同样轮廓之间关于其 自身的相似性. 3.2 自相关长度autocorrelation length 要求横向滑动以把自相关函数简化为一个等于一1乘以它的0滑动值的值.有时使用10%或者 0值定义替代e一1. 3.3 双向反射分布函数bi-directional reflectance distribution function;BRDF 由一个表面来描述光散射的分布，以不同的发光度（辐照度）归一化不同的发光（辐射率），并且近似 于每单位投射的立体角散射功率除以人射功率. 3.4 尼奎斯特准则Nyquis criterion 检测到的最短空间波长.它是两倍于取样间隔. 3.5 一维光栅方程式one-dimensional grating equation 按最普通的形式，它是一个由一维正弦光栅给定衍射级位置的表达式. 3.6 功率谱密度(PSD)函数power spectral density(PSD)function 一个表面特征函数，它比例于表面的傅立叶变换系数的平方，并且可以看作是每单位空间频率的粗 1 GB/T29505-2013 糙度率. 3.7 分辨能力的瑞利判据Rayleigh criterion of resolving power 利用一个图形的最大与另一个图形的最小迭加来辨别一对衍射图形的条件.当一个透镜没有像差 时，点状物体的像呈现衍射图形.当一个图形原理上的最大与另外一个图形的第一个最小相遇时，把这 个像描述为被分解了.当从仪器的物镜观察点状物间的距离可分辨时，这个判据是适用的，对于圆形透 镜为： 0.61入 NA 其中NA是物镜的数值孔径（阑），入是照射光波长. 3.8 空间频带宽度spatial bandwidth 给定仪器运行的波长范围. 3.9 空间频率spatial frequency 空间波长（入ti)的倒数. 3.10 空间波长spatial wavelength 在一个纯正弦轮廓的相邻两峰间的间隔. 3.11 传递函数transfer function 在全部测量空间波长范围内仪器的响应.一个轮廓仪在全部测量...

ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T29504—2013 300mm硅单晶 300 mm monocrystalline silicon 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29504-2013 300mm硅单晶 1范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.50cm~200cm硅单品的技术要求、 试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等. 本标准适用于由直拉法制备的硅单晶，主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13μm及以下技 术需求的300mm硅单晶抛光片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551一2009硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T11073一2007硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4技术要求 4.1直径 滚圆后的硅单晶直径为301mm 允许偏差士0.3mm.其他用户要求及未滚圆硅单晶的直径和允 许偏差由供需双方商定. 4.2电阻率 4.2.1硅单晶的电阻率和径向电阻率变化应符合表1的规定. 表1硅单晶电学参数 项目 电阻率 导电类型 掺杂元素 径向电阻率变化 0cm % 指标 P 0.5~20 ≤10 1 GB/T29504-2013 4.2.2径向电阻率变化如要求按照其他方案进行，由供需双方商定. 4.3晶向 4.3.1硅单晶晶向为<100>晶向. 4.3.2硅单晶晶向偏离度不大于1°. 4.4氧含量 硅单晶的间隙氧含量应不大于1.0×1018原子数/cm3 氧含量的径向变化具体指标可按需方要求 提供. 4.5碳含量 硅单晶的碳含量应不大于2×1018原子数/cm3 或由供需双方商定提供. 4.6晶体完整性 4.6.1硅单晶的位错密度应不大于10个/cm2. 4.6.2硅单晶应无孔洞和裂纹等. 4.6.3硅单晶的其他缺陷要求由供需双方商定. 4.7体金属（铁）含量 硅单晶的体金属（铁）含量应不大于5×101原子数/cm3 或由供需双方商定提供. 4.8头尾标记 滚圆后的硅单晶应有区分头尾的标记. 5试验方法 5.1硅单晶的直径测量按GB/T14140进行. 5.2硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行. 5.3硅单晶的电阻率测量按GB/T1551一2009中直排四探针法进行. 5.4硅单晶的径向电阻率变化测量按GB/T11073一2007的B方案进行. 5.5硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB/T1555进行. 5.6硅单晶的氧含量按GB/T1557进行. 5.7硅单晶的碳含量按GB/T1558进行. 5.8硅单晶的晶体完整性检验按GB/T1554进行. 5.9硅单晶的体金属（铁）含量按YS/T679进行. 5.10硅单晶的头尾标记采用目视检测进行. 6检验规则 6.1检查和验收 6.1...

ICS17.180 A60 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29421-2012 钒酸盐双折射光学单晶元件 Vanadate birefringent crystal devices 2012-12-31发布 2013-08-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29421—2012 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给定的规则起草. 本标准由中国建筑材料联合会提出. 本标准由全国人工晶体标准化技术委员会(SAC/TC461)归口. 本标准起草单位：中国科学院福建物质结构研究所、国家光电子晶体材料工程技术研究中心、福建 福晶科技股份有限公司、中国计量学院材料与工程学院. 本标准主要起草人：兰国政、吴少凡、林文雄、王昌运、张剑虹、李雄、史宏声、秦来顺. 本标准为首次制定. 建筑321--标准查询下载网 I GB/T29421-2012 钒酸盐双折射光学单晶元件 1范围 本标准规定了钒酸盐双折射光学单晶元件的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则及包装、标 识、运输、贮存等过程的要求. 本标准适用于钒酸盐双折射光学单晶元件，其他种类的双折射光学单晶元件也可参照使用. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T11297.1一2002激光棒波前畸变的测量方法 GB/T22452一2008硼酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件 GB/T22453一2008硼酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法 3术语和定义 GB/T22452一2008界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 双折射光学单晶optical crystal with birefringence 一种具有折射率各向异性的光学单晶. 3.2 钒酸钇单晶yttrium vanadate single crystal 一种双折射单晶以及以其加工而成的元件，中文化学名为钒酸钇，分子式为YVO4. 3.3 不垂直度nonperpendicularity 单晶元件通光面与侧面之间的不垂直程度. 3.4 光学不均匀性optical heterogenity 介质折射率的不均匀程度. 3.5 透射波前畸变transmitted wave front distortion 平行光束的波面透过被检单晶元件后相对于标准参考波面的畸变. 3.6 消光比extinction ratio Ex 光通过平行偏光系统与正交偏光系统时，分别得到最大输出光强与最小输出光强，它们的比值称系 建筑321-标准查询下载网 1 ...

ICS17.180 A60 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29420-2012 掺钕钒酸盐激光单晶元件 Nd-doped vanadate laser crystal devices 2012-12-31发布 2013-08-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 建筑321--标准查询下载网 GB/T29420-2012 前 言 . 本标准按照GB/T1.1一2009给定的规则起草. 本标准由中国建筑材料联合会提出. 本标准由全国人工晶体标准化技术委员会(SAC/TC461)归口. 本标准起草单位：中国科学院福建物质结构研究所、国家光电子晶体材料工程技术研究中心、福建 福晶科技股份有限公司、中国计量学院材料与工程学院. 本标准主要起草人：兰国政、吴少凡、林文雄、王昌运、张剑虹、李雄、史宏声、秦来顺. 本标准为首次制定. I 建筑321--标准查询下载网 GB/T29420—2012 掺钕钒酸盐激光单晶元件 1范围 本标准规定了掺钕钒酸盐激光单晶元件的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则及包装、标 识、运输、贮存等过程的要求. 本标准适用于掺钕钒酸盐激光单晶元件，其他种类的激光单晶元件也可参照使用. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T11297.1一2002激光棒波前畸变的测量方法 GB/T16601一1996光学表面激光损伤阈值测试方法第1部分：1对1测试 GB/T22452一2008硼酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件 GB/T22453一2008硼酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法 3术语和定义 GB/T22452一2008界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 掺钕钒酸钇Nd-doped yttrium vanadate 一种掺钕的钒酸钇激光单晶以及其加工而成的元件. 3.2 不垂直度nonperpendicularity 单晶元件通光面与侧面之间的不垂直程度. 3.3 光学不均匀性optical heterogenity 介质折射率的不均匀程度. 3.4 透射波前畸变transmitted wave front distortion 平行光束的波面透过被检单晶元件后相对于标准参考波面的畸变. 4技术要求 4.1物理性能 4.1.1散射 在波长为632.8nm的氦氖激光照射下，单晶元件单位体积(cm3)内直径大于10μm的散射点不得 多于4个. 1 建筑321--标准查询下载网 ...

ICS65.020.20 CCS B05 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29379—2021 代替GB/T29379—2012 马铃薯脱毒种薯贮藏、运输技术规程 Code of practice for virus free seed potatoes storage and transportation 2021-10-11发布 2022-05-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T29379—2021 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草原则》的规定 起草. 本文件代替GB/T29379一2012《马铃薯脱毒种薯贮藏、运输技术规程》，与GB/T29379一2012相 比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a)更改了缺陷薯的定义内容，删除了畸形，增加了碰撞伤（见3.1 2012年版的3.1）； b)更改了收获后处理的结构，分成“田间处理”和“入库前处理”两大部分（见4.1、4.2 2012年版 的第4章)； ℃)更改了“按照品种、级别、规格分别入库或运输”的文字表述（见4.1.3 2012年版的4.4、5.1），增 加了田间收获后“直接调运或入库”（见4.1.3）； d)增加了强制通风库的内容（见4.2.2、7.1、8.3）. €)增加了标识的内容“品种登记编号”“种子生产经营者名称”“检疫证明编号”等（见5.2）； f)删除了运输期间相对湿度的指标要求（见2012年版的6.4）； g)增加了“多品种同车运输用不同颜色包装或有效隔离措施”（见6.5）； h)增加了贮藏库的准备内容“宜在干燥条件下通风换气10d~15d”(见7.4)； i)更改了贮藏库的准备中的消毒并记录的表述，增加了新的药剂，删除了不用或有害的药剂（见 7.5 2012年版的7.4)； j)更改了贮藏期管理的文字表述（见9.2.1、9.2.3、9.2.4 2012年版的9.2.1、9.2.4和9.2.5），修改 了指标要求（见9.2.2、9.2.4）； k)删除了种薯垛通风的具体要求文字表述（见2012年版的9.2.3）； 1)更改了出库前管理的文字表述并修改了指标要求（见9.3.1 2012年版的9.3.1）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中国标准化研究院提出并归口. 本文件起草单位：中国标准化研究院、内蒙古大学、甘肃省农业科学院、定西马铃薯研究所、雪川农 业发展股份有限公司、内蒙古格瑞得马铃薯种业有限公司、呼和浩特市经济作物工作站. 本文件主要起草人：杨丽、孙清华、冯志文、张若芳、田世龙、李进福、王登社、李冬虎、吴健、杜密茹、 齐建建、蒲媛媛、刘军、刘先芬. 本文件所代替文件的历次版本发布情况为： —GB/T29379—2012. GB/T29379—2021 马铃薯脱毒种薯贮藏、运输技术规程 1范围 本文件规定了马铃薯脱毒种薯收获后处理，包装、标识，运输，贮藏库的准备，贮藏量和堆码以及贮 藏管理等技术的要求. 本文件适用于马铃薯脱毒种薯的贮藏及运输. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB18133马铃薯种薯 GB20464农作物种子标签通则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 缺陷薯defective tuber 有次生、串薯、...

ICS31.080.01;31.080.30 L42 中华人民共和国国家标准 GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) Semiconductor devices-Discrete devices- Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT) (IEC60747-9:2007 IDT) 2012-12-31发布 2013-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 中华人民共和国 国家标准 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址.spc.net.cn 总编室：(010)64275323发行中心：(010)51780235 读者服务部：(010)68523946 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销 开本880×12301/16印张3.5字数98千字 2013年5月第一版2013年5月第一次印刷 书号：1550661-46864 如有印装差错由本社发行中心调换 ：(010)68510107 GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007 目 次 前言 V 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 .1 3.1IGBT的图形符号 1 3.2一般术语 1 3.3额定值和特性的术语电压和电流 2 3.4额定值和特性的术语其他特性 4 4文字符号 6 4.1通则 6 4.2补充的通用下标 6 4.3文字符号 6 5基本额定值和特性 7 5.1额定值（极限值） 7 5.2特性 8 6.1通则 10 6.2额定值（极限值）试验 11 6.3测量方法 19 7接收和可靠性. 34 7.1一般要求 .34 7.2特殊要求 .34 7.3型式试验和例行试验 37 附录A(规范性附录)集电极-发射极击穿电压试验方法39 附录B(规范性附录)在规定条件下，电感性负载关断电流试验方法 .41 附录C(规范性附录)正偏安全工作区FBSOA .43 附录D(规范性附录)管壳不破裂 47 参考文献 48 图1集电极-发射极电压VcEs、VceR、Vcex试验电路11 图2栅极-发射极电压士VcEs试验电路 12 图3集电极电流试验电路 13 图4集电极蜂值电流试验电路 .14 图5反偏安全工作区(RBSOA)试验电路14 I ...

ICS37.040.10 N46 中华人民共和国国家标准 GB/T29298-2012 数字（码）照相机通用规范 Digital still camera general specification 2012-12-31发布 2013-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 数码防伪 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T29298—2012 数字（码）照相机通用规范 1范围 本标准规定了数字（码）照相机（以下简称照相机）的术语、技术要求、试验方法、标志、使用说明书、 包装、运输和贮存. 本标准适用于一般数字照相机，带数字照相功能的手机、座式和专用照相机及其他具有数字照相功 能的设备也可参照使用. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1988信息技术信息交换用七位编码字符集 GB2312信息交换用汉字编码字符集基本集 GB/T2421.1一2008电工电子产品环境试验概述和指南 GB/T2423.1-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A:低温 GB/T2423.2一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B:高温 GB/T2423.3一2006电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Cab:恒定湿热试验 GB/T2423.5一1995电工电子产品环境试验第二部分：试验方法试验Ea和导则：冲击 GB4943.1一2011信息技术设备安全第1部分：通用要求 GB5296.1消费品使用说明总则 GB9254-2008信息技术设备的无线电骚扰极限值和测量方法 GB/T10047.1一2005照相机第1部分：民用小型照相机 GB/T17618一1998信息技术设备抗扰度限制和测量方法 GB17625.1一2012电磁兼容限值谐波电流发射限值（设备每相输入电流≤16A) GB/T17626.2一2006电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB18030信息技术中文编码字符集 GB/T20733一2006数码照相机术语 JB/T7474.1照相机内藏闪光灯技术条件 JB/T8250.4照相机自由跌落试验方法 JB/T8250.6照相机振动试验方法 JB/T8250.7照相机机械包装、运输、贮存条件及试验方法 SJ/T11363一2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求 SJ/T11364一2006电子信息产品污染控制标识要求 SJ/T11365一2006电子信息产品中有毒有害物质的检测方法 ISO12233摄影术-数字照相机-分辨率的测量 ISO15739摄影术-电子静像成像-噪声（点）的测试 3术语和定义 GB/T20733一2006界定的以及下列术语和定义适用于本文件. GB/T29298-2012 3.1 数字（码）照相机digital still camera;DSC 使来自被摄对象的光线，通过镜头并经曝光控制，成像在影像传感器上，通过影像传感器，将景物静 态影像转换为电信号，并通过一系列的数字信号处理过程，将景物静态影像以数字的形式存储在存储媒 体中（如存储卡或磁盘）的设备.数字照相机通常也称数码照相机. 3.2 影像传感器image sensor 可将光学影像信息转换成电信号并将其输出的电子器件.例如：电荷耦合器(CCD)、互补型金属氧 化物半导体器件(CMOS)等. 3.3 存储媒体memory media 能够存储照相机所摄影像数据的部件，按...