GB/Z 17624.3-2021 电磁兼容 综述 第3部分：高空电磁脉冲(HEMP)对民用设备和系统的效应

ICS33.100.99
CCS L 06
中华人民共和国国家标准化指导性技术文件
GB/Z17624.3-2021
电磁兼容 综述
第3部分：高空电磁脉冲
(HEMP)对民用设备和系统的效应

Electromagnetic compatibility-General-Part 3:The effects of high-altitude EMP (HEMP)on civil equipment and systems CIEC/TR 61000-1-3:2002,Electromagnetic compatibility (EMC)-Part 1-3:General-The effects of high-altitude EMP (HEMP)on civil equipment and systems,MOD]
2021-05-21发布 2021-12-01实施
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布

1范围
本文件描述了已进行的和模拟的电磁脉冲试验过程中产生的效应，包括国外在进行高空核试验观察到的效应以及进行HEMP模拟器试验观察到的效应。
注1：除了直接效应，本文件还包括有关HEMP与“长线”耦合的信息。
注2：不是所有的试验和暴露都会使设备失效。HEMP相互作用的几何结构和设备的电磁屏蔽等因素，会导致不同的结果。
本文件适用于了解HEMP对现代电子系统可能产生效应的严重性、在验证HEMP耦合到“长线”的感应电流和电压的具体幅值、电子设备的直接注人试验时的参考。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T4365-2003电工术语电磁兼容(IEC60050-161:1990,IDT)
GB/T18039.8电磁兼容环境高空核电磁脉冲(HEMP)环境描述传导骚扰(GB/T18039.8一2012,IEC61000-2-10:1998,IDT)
GB/T18039.10电磁兼容环境HEMP环境描述辐射骚扰(GB/T18039.10一2018，IEC61000-2-9:1996,IDT)
IEC61000-4-32电磁兼容性(EMC)第4-32部分：试验和测量技术高空电磁脉冲(HEMP)模拟装置概要[Electromagnetic compatibility(EMC)一Part4-32:Testing and measurement techniques一High altitude electromagnetic impulse HEMP simulator compendium]

3术语和定义
GB/T4365一2003界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
衰减attenuation
因吸收和散射而导致的电场、磁场或电流、电压幅值的减小。
注：衰减值通常用分贝(dB)表示，
3.2
孔缝进入点aperture point-of-entry
孔缝进入端口aperture port-of-entry
包括有意的或无意的孔、裂缝、开口或者屏蔽表面的其他不连续的孔洞或缝隙。
注：有意进人孔缝点包括人员和/或设备的进出口和电磁屏障上的通风口。
3.3
共模电压common mode voltage
每个导体与规定参考点（通常是地或机壳）之间的相电压的平均值。

[来源：GB/T4365—2003,161-04-09]
3.4
传导进入点conductive point-of-entry
穿过电磁屏障的贯穿导体、导电线缆或其他（例如，金属杆）导电物。
3.5
电磁兼容性electromagnetic compatibility;EMC
设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。
[来源：GB/T4365—2003,161-01-07]
3.6
电磁骚扰electromagnetic disturbance
任何可能引起装置、设备或系统性能降低的电磁现象。
[来源：GB/T4365-2003,161-01-05,有修改]
3.7
电磁干扰electromagnetic interference;EMI
电磁骚扰引起的装置、传输通道或系统性能的下降。
[来源：GB/T4365一2003,161-01-06，有修改]
注：骚扰和千扰分别表示“起因”和“后果”。
3.8
(电磁)屏蔽体(electromagnetic)shield
通过吸收和反射衰减入射的电场和磁场的设施、区域或元件的电连续外壳。

3.9
(电磁)敏感度(electromagnetic)susceptibility
在有电磁骚扰的情况下，装置、设备或系统不能避免性能降低的能力。
注：敏感度高，抗扰度低。
[来源：GB/T4365-2003,161-01-21]
3.10
高空电磁脉冲(HEMP)high-altitude electromagnetic pulse(HEMP)
高空核爆炸产生的电磁脉冲。
注：指爆高超过30km以上的核爆炸，
3.11
中压电力线路medium voltage(MV)power line
标称交流电压大于1kV但不超过35kV的电力线路。
3.12
进入点/进入端口point-of-entry(PoE)/port-of-entry(PoE)
在尚未提供足够防护装置的情况下电磁阻挡层上电磁能量进出的实体位置。一个进人点并不限于一个几何点。按照进人的类型可分为孔缝进人点或传导进入点。也可按照它们的功能分为建筑、机械、结构或电气进人点。
3.13
电力线路power lines
从交流或直流电源引出的线路。

4总则
距地面30km以上高空核爆炸产生的电磁脉冲，在地球表面观测到的有如下3种类型：
—早期HEMP(t<1μs)(快)；
—中期HEMP(1pS(中)；
—晚期HEMP(t>1s)(慢)。
过去，人们关注更多的是早期的HEMP,将其简称为“HEMP”。但是本文件所用“高空电磁脉冲”或“HEMP”一词则包括上述3种类形。核电磁脉冲(NEMP)一词则涵盖了各类核电磁脉冲，其中包括地面核爆炸产生的源区电磁脉冲(SREMP)和空间系统产生的系统电磁脉冲(SGEMP)。

投稿会员：芳华