ics77.040 CCS H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T42263—2022 硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法 Determination of nitrogen content in silicon single crystal-Secondary ion mass spectrometry method 2022-12-30发布 2023-04-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T422632022 前言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任 公司。 本文件主要起草人:马农农、何友琴、李素青、陈潇、刘立娜、何烜坤。 GB/T422632022 硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法 1范围 本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020cm-3(0.2%)的硅单晶中氮含量的测定,测定 范围不小于1×1014cm-3 注:硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T14264半导体材料术语 GB/T22461表面化学分析词汇 GB/T32267分析仪器性能测定术语 3术语和定义 GB/T14264、GB/T22461和GB/T32267界定的术语和定义适用于本文件。 4原理 在高真空(真空度优于5×10-7Pa)条件下,铯离子源产生的一次离子,经过加速、纯化、聚焦后,轰 击硅单晶样品表面,溅射出多种粒子。将其中的离子(即二次离子)引出,通过质谱仪将不同质荷比的离 子分开,记录不同速率条件下样品中氮硅复合离子(Ni)与主元素硅(Si或者Si或者Si)的 离子强度。利用相对灵敏度因子法定量分析并计算出硅单晶中氮元素的含量以及仪器的背景氮含量。 5干扰因素 5.1样品表面硅氧化物中的氮可能影响氮含量测试结果的准确度。 5.2从二次离子质谱仪(SIMS)仪器样品室和固定装置上吸附到样品表面的氮可能影响氮含量测试结 果的准确度。 5.3测试氮的时候采用质量数为42的1N2Si离子,碳会以12C3Si形式干扰氮含量的测试,从而影响 氮含量测试结果的准确度。 5.4样...
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