ICS29.045 H83 备案号：50559-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T115022015 碳化硅单晶抛光片规范 Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11502—2015 前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本规范由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、工 业和信息化部电子工业标准化研究院、河北问光品体有限公司 本规范主要起草人：丁丽、 周智慧、吴华、何秀坤、冯亚彬、装会 川、李龙远. INDUSTRY FESRMATION TECHNO SJ STANDARDS 1 SJ/T11502—2015 碳化硅单晶抛光片规范 1范围 本规范规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、牌号、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、 贮存和运输等内容. 本规范适用于晶型为6H和4H 单面或双面抛光，直径100mm及以下的碳化硅单晶抛光片.其它晶 型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照便用 2规范性引用文件 TRY AND INFORMA 下列文件对于文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件仪在期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用准，其最新版本（包活的修改单）适同本文件 GB/T6619 硅弯度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接独式测试方 GB/T 662 抛光片表平整度测试方法 GB/T13387硅及其它电子材料品片参考面长度测量方法 GB/T13388硅参考面结晶学取向X射线测式 GB/T14264米体材料 GB/T30866碳化硅单晶片直测试方 GB/T30867北佳单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T30868化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法 SJ/T11499 碳化单晶电学性能的测试方法 SJ/T11500碳化晶昌向的测试方法 SJ/T11501 碳化硅单晶晶型的测试方法 SJ/T11503 碳化硅 单 NDARDS 光片衣面粗糙度的测试方法 SJ/T11504 碳化硅单砸光 页的试法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 微管micropipe 微管是在碳化硅单品中产生的一种中空的细管，其径向尺寸从纳米到微米量级，腐蚀后在显微镜下 观察呈六边形，其对碳化硅器件具有严重的制约作用. 3.2 微管密度micropipe density 1 ...
SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范.pdf
