ICS29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T14844—2018 代替GB/T14844一1993 半导体材料牌号表示方法 Designations of semiconductor materials 2018-12-28发布 2019-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T14844-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T14844一1993《半导体材料牌号表示方法》，与GB/T14844一1993相比主要技术 变化如下： —修改了范围中本标准适用性的描述（见第1章，1993年版的第1章）； ——将原3.1.1中生产方法和用途分成两项，并对牌号表示方法排序进行调整，名称为第一项，生 产方法为第二项（见3.1.1 1993年版的3.1）； 一删除了多晶生产方法中的“铸造法”，增加了“T表示三氯氢硅法”、“表示硅烷法”、“F流化床 法”和“其他生产方法表示形式参照以上方法进行”（见3.1.3 1993年版的3.1.1）； 一修改了“表示块状”为“C表示块状”，并增加了“G表示颗粒状”和“其他多晶形状表示形式 参照以上方法进行”（见3.1.4 1993年版的3.1.3）； —增加了“E表示电子级用途”和“S表示太阳能级用途”（见3.1.6）； —调整了单晶牌号表示方法排序（见3.2.1 1993年版的3.2）； 一增加了示例“如硅单晶Si、砷化镓单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单晶Ge、锑化钢单晶InSb、磷 化镓单晶GaP和磷化钢单晶InP等”（见3.2.2）； —增加了“℃表示铸锭法”（见3.2.3）； —增加了导电类型示例“例如N型导电类型掺杂元素有磷P、锑S、砷As P型导电类型掺杂元 素有硼B 区熔气相掺杂用FGD表示等”（见3.2.4）； 一增加了示例“例如晶向、<100〉和<110〉等”（见3.2.5）； 一增加了示例“如硅片Si、砷化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑化铟片InSb、磷化镓片GaP 和磷化钢片InP等”（见3.3.2）； —增加了“SCW表示太阳能切割片”（见3.3.4）； —调整了外延片牌号表示方法排序（见3.4.1 1993年版的3.4）； 一增加了示例“如硅外延片Si、砷化镓外延片GaAs、碳化硅外延片SiC、锗外延片Ge、锑化钢外 延片InSb、磷化镓外延片GaP和磷化铟外延片InP等”（见3.4.2）； ——增加了牌号中字母表示方法（见附录A). 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公 司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科 技发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司. 本标准主要起草人：楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、 张雪囡、丁晓民、贺东江. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T14844—1993. I GB/T14844-2018 半导体材料牌号表示方法 1范围 本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法. 本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照 执行....
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