ICS29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T16596—2019 代替GB/T16596一1996 确定晶片坐标系规范 Specification for establishing a wafer coordinate system 2019-03-25发布 2020-02-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T16596—2019 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T16596一1996《确定晶片坐标系规范》.与GB/T16596一1996相比，除编辑性修 改外主要技术变化如下： 一规范性引用文件中删除了GB/T12964、SEMI M12和SEMI M13 增加了GB/T34479和 YS/T986(见第2章，1996年版的第2章)； ——增加了“晶片坐标系的建立原则”（见第3章）； 一增加了“晶片背面坐标系”和“三维坐标系”（见4.2、4.3）； 一删除了“晶片坐标系的应用及有关内容”中的4.1.1和4.1.2（见1996年版的4.1.1、4.1.2）； 一增加了“在SEMI M1中，用边缘轮廓模板建立的边缘参考坐标系用于边缘的参照，其与本晶 片坐标系不同.边缘轮廓模板和边缘轮廓参数使用不同的坐标系，具体如下：”“在某些情 况下，无图形的晶片表面不易区分正面和背面”“对晶片的直径没有特殊规定，但对于自动设 备，可能只接收标称直径的晶片”等内容（见5.3、5.6、5.9）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、 浙江省硅材料质量检验中心、上海合晶硅材料有限公司. 本标准主要起草人：卢立延、孙燕、潘金平、杨素心、楼春兰、胡金枝、李素青. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T16596—1996. GB/T16596—2019 确定晶片坐标系规范 1范围 本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序. 本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立.该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗 粒等测试结果的准确位置. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T16595晶片通用网格规范 GB/T34479硅片字母数字标志规范 YS/T986晶片正面系列字母数字标志规范 SEMI E5半导体设备通信标准2报文内容(SECS-Ⅱ)的规范[Specification for SEMI equipment munications standard2 message content(SECS-Ⅱ)] SEMI M1硅单晶抛光片规范(Specification for polished single crystal silicon wafers) 3晶片坐标系的建立原则 3.1总则 本标准中的晶片坐标系利用晶片中心点作为直角坐标系(X-Y)或极坐标系(rO)的原点，可确定晶 片上任意点的坐标.对于无图形晶片，可直接使用本晶片坐标系，也可与矩形阵列或极坐标重叠阵列一 起使用.本晶片坐标系也可用于确定另一坐标系的原点或其他基准点的位置，而这另一坐标系则常表 ...
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