ICS29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T24580—2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的 二次离子质谱检测方法 Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry 2009-10-30发布 2010-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 数码防伪 1 GB/T24580—2009 前言 本标准修改采用SEMI MF1528-1104《用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方 法》.本标准对SEMI MF1528-1104.格式进行了相应调整.为了方便比较，在资料性附录B中列出了 本标准章条和SEMI MF1528-1104章条对照一览表.并对SEMI MF1528-1104条款的修改处用垂直 单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处. 本标准与SEMI MF1528-1104相比，主要技术差异如下： 一一去掉了“目的”、“关键词”； 一将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中 的精度和偏差部分作为资料性附录A. 本标准附录A和附录B为资料性附录. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口. 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研 究所. 本标准主要起草人：马农农、何友琴、丁丽. I GB/T24580—2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的 二次离子质谱检测方法 1范围 1.1本标准规定了重掺型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法.本标准适用于二次离子质谱 法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污（总量）的测试. 1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(1×102 atoms/cm3)的硅材料中硼浓度的检测. 特别适用于硼为非故意掺杂的p型杂质，且其浓度为痕量水平(<5X104 atoms/cm3)的硅材料的 测试. 1.3本标准适用于检测硼沾污浓度大于SIMS仪器检测限（根据仪器的型号不同，检测限大约在 5×1012 atoms/cm3~5X1013 atoms/cm3)两倍的硅材料. 1.4原则上，本标准对于不同表面情况的样品都适用，但是本标准中的精度估算值是从表面抛光样品 的测试数据中得到的. 2规范性引用文件 .下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. ASTM E122评价一批产品或一个工艺过程质量的样品大小的选择规范 3术语和定义 下列术语和定义适用于本标准. 3.1 离子质谱ion mass 根据质荷比的不同将离子分开并计数. 3.2 一次离子primary ion 由离子枪产生的离子，聚焦到样品表面，溅射并离化样品表面原子. 3.3 二次离子质谱secondary ion mass spectrometry 对样品表面溅射出来的二次离子进行质谱分析. 3.4 二次离子secondary ion 在一次离子束的溅射下，样品表面原子离化并脱离样品表面形成的离子. 4试验...
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