ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范 General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride 2018-12-28发布 2019-07-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T37053-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：东莞市中镓半导体科技有限公司、合肥彩虹蓝光科技有限公司、苏州纳维科技有 限公司、南京大学电子科学与工程学院、中国电子技术标准化研究院. 本标准主要起草人：丁晓民、刘南柳、潘尧波、徐科、修向前、孙永健、王香、张国义. I GB/T37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范 1范围 本标准规定了氮化镓外延片（以下简称外延片）及氮化镓衬底片（以下简称衬底片）的通用规范，包 括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等. 本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片.产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光 电器件，以及微波与电力电子功率器件. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T5698一2001颜色术语 GB/T14264一2009半导体材料术语 3术语和定义 GB/T5698一2001、GB/T14264一2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件.为了便于使 用，以下重复列出GB/T14264一2009中的某些术语和定义. 3.1衬底结构 3.1.1 氮化镓自支撑衬底free-standing GaN substrate 半导体工艺中的基底，具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性的用于外延沉积、扩散、离子注入 等后续工艺操作的氮化镓基片. 3.1.2 氮化镓复合衬底GaN template 由氮化镓单晶薄膜材料与其支撑基底构成的复合结构，用于外延沉积、扩散、离子注入等后续工艺 操作的氮化镓基片. 3.2衬底导电类型 3.2.1 氮化镓半绝缘型衬底semi-insulating GaN substrate 电阻率大于1062cm的氮化镓自支撑衬底. 3.3材料特性 3.3.1 面电阻均匀度sheet resistance uniformity 外延片中薄层电阻的分布状况，一般表述为面电阻最大值与最小值之差与平均面电阻的比值. 1 ...
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