ICS29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T35310-2017 200mm硅外延片 200 mm silicon epitaxial wafer 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35310-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院. 本标准主要起草人：马林宝、骆红、杨帆、金龙、杨素心. I GB/T35310-2017 200mm硅外延片 1范围 本标准规定了直径200mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标 志、包装、运输、贮存、质量证明书. 本标准适用于在型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片.产品主要用于制作集成电路 或半导体器件. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621硅片表面平整度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12964硅单晶抛光片 GB/T14141硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法 GB/T14142硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法 GB/T14146硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T32280硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 YS/T28硅片包装 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4产品分类 4.1产品按导电类型分为N型和P型.N型外延层掺杂元素为磷或砷，P型外延层掺杂元素为硼. 1 ...
GB/T 35310-2017 200mm硅外延片.pdf
