ICS29.045 CCS H83 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11864—2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底 Semi-insulating silicon carbide single crystal substrate 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARON SJ/T11864-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中国电子技术标准化研究院归口. 本文件起草单位：山东天岳先进科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集 团公司第十三研究所、中国电子科技集团公可第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、中国电 子科技集团公司第四十六研究所、江苏桌远 导体有限生 本文件主要起草人：高超、张红 木王、 张秋、染庆瑞RM 涛、杨世兴、房玉龙、李资、任勉、 王英民、李国平. INDUSTR HO人 SJ STANDARDS SJ/T11864—2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底 1范围 本文件规定了半绝缘型碳化硅(SiC)单晶衬底的术语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、 包装、运输、贮存等. 本文件适用于经抛光后制备的50.8mm 76.2mm 100.0mm 150.0mm半绝缘型SiC衬 底，晶型为4H. 2规范性引用文件 下列文件中的内容 通过 AND INFORA 仅该日期对应的版适用购规范 用而构成本 .其中，注日期的引用文件， 文 :不注日期的引用文件，其取新版个 C 包招的修改单)适用于本 文件. S GB/T28281 数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检素的逐批检验抽样计划 GB/T13387人健及其它电材料品片而长度测量方法 GB/T13388 硅片参者面结晶学取向射线测量方法 GB/T 14264半导体材料术语 GB/T 2591—2021洁净室及相关受控环境第一部分：按粒子浓度戈划分空气清净度等级 GB/T 30656 2014豪化硅单链抛光 GB/T 30866 碳化硅单晶片直径测试方 GB/T306 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 碳化硅单抛光片微管密度无损测方法 GB/T32188氨化镓单晶底片X射绒双晶招摆曲线半宽测试方法 GB/T 327 碳化硅单晶平整度式方法 SJ/T 1500 碳化硅单晶晶向的测试方法 SJ/T11501碳化硅单晶晶型的测试方法 CHNOLOGY SJ/T11503化单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 SJ/T11504碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 3术语和定义 GB/T14264和GB/T30 TA界大ARDS 4分类 按照GB/T30656一2014的规定，SiC衬底分为三个等级：工业级(P级)、研究级(R级)和试片 级(D级). 5要求 5.1几何参数 SiC衬底的几何参数应符合表1的规定. ...
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