中华人民共和国国家标准
GB/T48345-2026
用于HEMT功率器件的硅衬底氮化 外延片
GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices
国家标准化管理委员会 国家市场监督管理总局 发布
目 次
前言引言1范围2规范性引用文件3术语和定义4分类5技术要求6试验方法7检验规则 8标志、包装、运输、贮存和随行文件9订货单内容附录A（规范性）缓冲层（Bufer）垂直漏电流检测方法
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
器件的硅衬底氮化外延片》.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）及全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：苏州晶湛半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、华润微电子（重庆）有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、珠海未来科技有限公司、广东工业大学、大连理工大学、 中山大学、北京中博芯半导体科技有限公司、中国科学院微电子研究所、工业和信息化部电子第五研究所、北京大学东莞光电研究院、南京盛鑫半导体材料有限公司、重庆平创半导体研究院有限责任公司，江苏能华微电子科技发展有限公司.
本文件主要起草人：向鹏、程凯、杨露、高伟、郑晨焱、叶念慈，张铭宏、贺致远，黄火林、刘扬、陈正吴、康玄武施宜军，刘强、宋占洋.陈显平，夏远洋.
