中华人民共和国国家标准
GB/T 47906-2026
300mm硅片表面纳米形貌的评价方法
Practice methods for nanotopography of 300 mm silicon wafer surface
国家标准化管理委员会 国家市场监督管理总局 发布
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：山东有研艾斯半导体材料有限公司、金瑞泓微电子（衢州）有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、浙江晶越半导体有限公司、上海超硅半导体股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、郑州合品硅材料有限公司、 江苏神州半导体科技股份有限公司、扬帆半导体材料（江苏）有限公司.
本文件主要起草人：朱晓彤、宁永铎、刘云霞、陈仁彬、张海英、张婉婉、徐新华、顾广安、高冰、陈猛、马砚忠钟佑生、朱培文、杨杰.
300mm硅片表面纳米形貌的评价方法
1范围
本文件描述了300mm硅片表面0.2mm~20mm空间波长范围内的纳米形貌（NT）评价方法. 本文件适用于硅抛光片、硅外延片，绝缘体上硅（SOI）片等300mm无图形硅片的评价.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用面构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T14264半导体材料术语
GB/T25915.1一2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3.1
无图形硅片unpatterned silicon wafer
没有经历图形工艺的硅片.
注：图形工艺是在硅片内部及表面层构建图形的一系列加工工艺，主要包括曝光、显影，刻蚀、离子注入等.
不完整局部区域partial site
一部分位于合格质量区外，但其中心在合格质量区内的局部区域.[来源;GB/T 142642024 3.198.15]
3.3
空间波长spatial wavelength
硅片表面高度起伏的周期性特征长度.
4方法原理
获取300mm无图形硅片单一表面（正表面或背表面）的高度数据阵列.对其近边缘区域进行收缩滤波或者恒定滤波处理后，再进行高通滤波处理.将滤波后合格质量区（FQA）的高度数据划分成若干个尺寸相同的圆形或者方形分析区域，使用各分析区域内的峰-谷差（P-V值）作为统计量.评价0.2 mm~20 mm空间波长范围内的 NT.
5干扰因素
5.1获取高度数据阵列的方法不同.影响NT的评价结果. 5.2硅片边缘卷曲可能导致获得的FQA内高度数据失真.
