SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21169-2016 MEMS惯性器件干法刻蚀工艺技术要求 Technical requirements for MEMS inertial device dry etching process 2016-12-14发布 2017-03-01实施 国家国防科技工业局 发布 SJ21169-2016 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：王利芹、杨拥军、徐永青、任倩婷、李丽霞、何洪涛、沈路、苏日丽. AND ORMATION ECHNOL SJ STANDARDS I SJ21169-2016 MEMS惯性器件干法刻蚀工艺技术要求 1范围 本标准规定了MEMS惯性器件制造过程中干法刻蚀的工艺流程、工艺要求和检验要求. 本标准适用于硅片和硅片上介质薄膜（氧化硅、氮化硅）千法刻蚀的工艺. 2规范性引用文件 ID NEO 下列文件中的条款通过本标准的用而成为本标准间款凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内或修订版均不适用于木标准、然丽励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新应本适用于本标准. GB/T25915.100洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度 GB/T2611微机电系统(MEM8)技术术语 GB50073-2013/洁房设计规范 GJB179A-1996计数抽样检验程序 3术语和定义 GB/261中确立的下列术语利定义用于本标准. 3.1 TECHNOLOG 硅草black silicon 在干法刻蚀过程中 由于聚合物沉积较重，出现点状或小块状的未刻区域，随刻蚀深度的加深而 形成的硅柱. 3.2 底切 undercut STANDARDS 在干法刻蚀过程中，掩膜图形下的侧向钻 3.3 根切notching 当刻蚀至硅与氧化硅界面时，由于反应离子对硅与氧化硅刻蚀选择比较大，过多的反应离子聚集在 底部并与底部两侧的硅原子反应后形成的侧向钻蚀. 1 ...
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