中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ21441-2018
SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范 Specification for high purity semi-insulating silicon carbide monocrystalline wafersofSiC-HPSI
2018-01-18发布2018-05-01实施
国家国防科技工业局发布
SJ 21441-2018
目次
前言.. 1范围.. 2规范性引用文件 3要求... 4质量保证规定 4.1检验分类， 4.2检验条件， 4.3鉴定检验. 4.4质量一致性检验 4.5检验方法6 5交货准备8 5.1包装..8 5.2装箱.8 5.3运输与储存8 5.4标志，8 6说明事项8 6.1预定用途8 6.2型号.6 6.3订购文件中应明确的内容，6 附录A（规范性附录）碳化硅单晶片微管密度测试方法.10 附录B（规范性附录）碳化硅单晶片晶型测试方法.13 附录C（规范性附录）碳化硅单晶片电阻率非接触测试方法15 附录D（规范性附录）碳化硅单晶片位错密度测试方法，17 附录E（规范性附录）碳化硅单晶片中杂质浓度测试方法，19
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前言
本规范的附录A、附录B、附录C、附录D和附录E为规范性附录。
本规范由中国电子科技集团公司提出。
本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本规范主要起草人：窦瑛、齐海涛、杨丹丹、高飞、洪颖、孟大磊、张政、张皓、郑风振、 牛栋华。
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SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范
1范围 本规范规定了SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片的技术要求、质量保证规定、交货准备等。
本规范适用于SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片（以下简称碳化硅单晶片）。
2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T191包装储运图示标志 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T30656-2014碳化硅单晶抛光片 GB/T30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法 GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度及总厚度变化测试方法 GB/T32189-2015氮化单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 GB/T32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法 GJB179A-1996计数抽样检验程序及表
3要求 3.1总则 碳化硅单晶片按直径分为2英寸、3英寸、4英寸、6英寸。
碳化硅单晶片按晶型分为4H型和6H型。
3.2表面质量 碳化硅单晶片表面为双面抛光，其硅面无裂纹，无六方空洞，无划痕，无崩边，无凹坑，无碳包裹 物，无沾污。
3.3表面粗糙度 碳化硅单晶片的表面粗糙度Ra不大于0.3nm。
3.4外形尺寸 3.4.1碳化硅单晶片外形示意图 (2～4)英寸碳化硅单晶片外形示意图见图1。
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副参硅面 考面
度 主参考面 图1(2～4)英寸碳化硅单晶片外形示意图 6英寸碳化硅单晶片外形示意图见图2。
硅面
厚度 主参考面 图26英寸碳化硅单晶片外形示意图 3.4.2几何参数 碳化硅单晶片的几何参数指标应满足表1要求。
表1碳化硅单晶片几何参数 主参考面副参考面主参考总厚度局部厚弯曲翘曲 直径厚度长度长度副参考面取向变化度变化度度 mm m mm面取向
mm mμm 50.8±0.2350±2516.0±1.08.0±1.010≤2≤1010 76.2±0.2350±2522.0±1.511.0±1.5顺时针与主参考面10≤210≤10
,成90°，公差为土5° 100.0±0.2500±2532.5±2.018.0±2.0±5°≤15≤15≤20 150.0±0.2500±2547.5±2.5≤15≤4≤20≤25 碳化硅单晶片周边要求倒角，且表面光滑，无崩边。
3.5晶向 碳化硅单晶片的晶向为，其晶向偏离度为0士0.2°。
3.6材料性能参数 碳化硅单晶片的材料性能参数应符合表2的规定。
表2碳化硅单晶片的材料性能参数 微管密度电阻率X射线衍射（XRD)位错密度杂质浓度 个每平方厘米晶型Ω-cm摇摆曲线半高宽“个每平方厘米原子每立方厘米
弧秒 1...
