SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6130 SJ21451-2018 集成电路陶瓷封装 圆片划片工艺技术要求 Integrated circuit ceramic package- Technical requirement for wafer-sawing process 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21451-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所. 本标准主要起草人：李守委、李云海、肖汉武、朱卫良、常乾、王燕婷. AND INDUSTRY AULSININ RMNTION TECHNO SJ STANDARDS SJ21451-2018 集成电路陶瓷封装圆片划片工艺技术要求 1范围 本标准规定了军用集成电路圆片砂轮划片工艺的一般要求和划片工艺所使用的原材料、设备、工艺 流程、关键控制点及检验的详细要求. 本标准适用于12英寸及以下尺寸集成电路硅圆片（不含带凸点圆片）砂轮划片工艺（以下简称划片 工艺). 2规范性引用文件 AND INFORM 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款. 是注期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注明日期的文件，其最新版本适用于本标准. GB/T25915.12010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GJB548B-2005微电子器件试验方法和程字 GJB 3007 防静电工作区技术要求 3术语和定义 GJB548B-2005确立的以及下列术语和定义适用于本标准. TECHNOLO 3.1 卷边peeling 划片过程中造成的划片槽内的钝化层材料、测试图形等的翘起、翻卷筹现象 3.2 崩边chipping 划片过程中，圆片的内部应力在划片刀的作用下从芯片的切割位置护散开来，在基底材料上形成缺 损及裂纹等现象. 3.3 键合区腐蚀坑bonding pad pitting TANDARD 划片过程中，由于切削液的持续冲刷，导致心厅键合区铝层腐蚀，在基板材料上形成暴露通孔的现 象. 4一般要求 4.1人员 工艺人员应满足以下要求： a)应掌握集成电路陶瓷封装工艺相关的基础知识： b)应了解厂房的管理制度，自觉遵守人员着装、防静电操作要求等相关规定； ...
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