ICS77.040 CCS H 17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 Determination of boron aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal-Secondary ion mass spectrometry 2021-12-31发布 2022-07-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T41153—2021 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公 司、山东天岳先进科技股份有限公司. 本文件主要起草人：马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何烜坤、李素青、张红岩. GB/T41153—2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 1范围 本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法. 本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1018cm-3、 铝含量不小于5×103cm-3、氮含量不小于5×10l5cm-3 元素浓度（原子个数百分比）不大于1%. 注1：碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计. 注2：碳化硅单品中钒杂质含量的测定可参照本文件进行，测定范围为钒含量不小于1×1013cM-3. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB/T14264半导体材料术语 GB/T22461表面化学分析词汇 GB/T32267分析仪器性能测定术语 3术语和定义 GB/T14264、GB/T22461和GB/T32267界定的术语和定义适用于本文件. 4原理 在高真空（真空度优于5×10-Pa)条件下，氧或艳离子源产生的一次离子，经过加速、纯化、聚焦 后，轰击碳化硅单晶样品表面，溅射出多种粒子.将其中的离子（即二次离子）引出，通过质谱仪将不同 质荷比的离子分开，记录并计算样品中待测元素与主元素硅的离子计数率之比.利用相对灵敏度因子 定量分析并计算出碳化硅单晶中的待测元素的含量. 5干扰因素 5.1二次离子质...
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