ICS29.045 H83 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11470-2014 发光二极管外延片 Epitaxial wafers of light-emitting diodes 2014-10-14发布 2015-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T114702014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院技术归口. 本标准起草单位：上海蓝光科技有限公司 本标准参加单位：见附录B 本标准主要起草人：潘尧波 AND TECHNOL SJ STANDARDSI I SJ/T11470-2014 发光二极管外延片 1范围 本标准规定了可见光发光二极管外延片（以下简称外延片）的要求、测试方法、检验规则、标志、 包装、运输和储存. 本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系 铝惊钢磷系及铝镓钢氮系外延片. 2规范性引用文件 TRY AND 下列文件对于本文 INFORMAZ 是必不可少的.凡是注日期的引 注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的质文洋 其最新版本（包括的修改单）适用 本 GB/T2828.1 数油样食验程第1部分：按接收质量限 检索的逐批检验抽样计 划(ISO285 1999 GB/T 1 4264-2909 SJ/T 1305 009半导体照明术语 SJ/T 11396 2009 化家基发光二极管蓝宝石衬底片 SJ/T 1129 2014 3术语和定义 TECHNOLO GB/T142642009、SJ/T11395一2009界定的以及下列术语和定义适用 件. 3.1 辐射功率保持率radiant power maintenance 芯片在规定工作条件 连续上作规定时间后的辐射功率的 赠之比. 4分类 TANDAR 4.1按有源层材料分类 外延片按有源层材料分为： a)镓砷磷系(GaAs-P); b)镓铝砷系(Ga-Al As): c)铝镓钢磷系(Al Ga Ini P): d)铝镓钢氮系(Al Ga Ini- N). 4.2牌号与说明 牌号表示为： ...
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