ICS31.080.01 L41 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJT11767—2020 二极管低频噪声参数测试方法 Measurement method of low-frequency noise parameters for diodes 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 6102 rs SJ/T11767—2020 目次 前言 III 1范围 1 2规范性引用文件 3术语和定义 4测试条件及要求 5测试系统的构成及要 5.1通则 STRY 5.2测试偏置电路 6测试程序 2 6.1测试准 2 6.2噪声电压 ORMAYION IEC 6.3 噪电生 6.4数据的记录 附录A 资料性附录) SJ 2 功率谱密 2 3 MOOTON STANDARDSI SJ/T11767—2020 前言 电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括：《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于：《晶体管低频噪声参数测试方法》、 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数 测试方法》等. 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担这些专利的责任. 本标准由基于低频噪声技术的电子元器了靠无据检测标准工作组归口. 本标准起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、西安科技人学、重庆赛宝工业技术研究院、 中国运载火箭技术研究元， 国振华集团永光电子有限公司、济南市导体无件实验所、深圳市量为科 技有限公司、北京燕东 子有限公司、辽宁朝阳无线电元件有限责任 A 本标准主要起草 水涛、胡为、恩云飞、加春雷、周鹏、罗宏 黄平、侯秀萍、张暉、 牟广庆. SJ STANDARDSJ III ...
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