ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T11094—2020 代替GB/T11094一2007 水平法砷化镓单晶及切割片 Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method 2020-09-29发布 2021-08-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T11094—2020 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T11094一2007《水平法砷化镓单晶及切割片》.与GB/T11094一2007相比，除编 辑性修改外，主要技术变化如下： ——删除了范围中的单晶锭及微波器件（见2007年版的第1章）； —删除了规范性引用文件中的GJB1927 增加了GB/T13388、GB/T14844(见第2章，2007年 版的第2章)； —删除了术语和定义中的3.1~3.8（见2007年版的第3章）； —修改了产品的牌号表示方法及分类（见第4章，2007年版的第4章）； 一修改了化镓单晶生长方向中的偏转角度（见5.1.1 2007年版的4.3.1）； 一删除了半绝缘种化镓单晶的要求及试验方法（见2007年版的4.3.2、4.4.3、5.1）； 一删除n型非掺杂砷化镓单晶的要求（见2007年版的4.3.2）； 修改了P型掺锌砷化镓单晶的载流子浓度范围（见5.1.2 2007年版的4.3.2）； —修改了位错密度的分级及要求（见5.1.3 2007年版的4.3.3）； —增加了直径82.0mm砷化镓切割片及对应砷化镓单晶的要求（见5.1.4.2、5.2）； 一晶锭高度误差不大于4mm改为单晶厚度变化应不大于2mm(见5.1.4.2 2007年版的4.4.1)； 一增加了关于砷化镓切割片电学性能、位错密度的说明（见5.2.1）； 一修改了神化镓切割片厚度的要求（见5.2.3 2007年版的4.5.1）； 修改了神化镓切割片晶向偏离的要求（见5.2.4 2007年版的4.5.2）； —修改了神化镓单晶及切割片的试验方法（见第6章，2007年版的第5章）； ——修改了砷化镓单晶及切割片的检验规则相关内容（见第7章，2007年版的第6章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、广东先导先进材料股 份有限公司、北京聚容众邦科技有限公司、雅波拓（福建）新材料有限公司. 本标准主要起草人：于洪国、林泉、马英俊、赵敬平、李素青、马远飞、李万朋、许所成、权盼、朱刘、 周铁军、闫方亮、杨丽霞、付萍. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T11094—1989、GB/T11094—2007. 1 GB/T11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片 1范围 本标准规定了水平法砷化镓单晶（以下简称砷化镓单晶）及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、 检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容. 本标准适用于光电器件、传感元件等用的神化镓单晶及切割片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1555半导体...
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