SJ 中华人民共和国电子行业军用标准 FL6131 SJ50033/174-2007 半导体分立器件 3DA521型硅微波脉冲功率晶体管 详细规范 Semiconductrodiscretedevices Detailspecification for type3DA521siliconmicrowavepulsepower transistor 2008-01-24发布 2008-02-01实施 中华人民共和国信息产业部批准
SJ50033/174-2007 前言 本规范由信息产业部电子第四研究所归口。
本规范起草单位：信息产业部电子第四研究所。
本规范主要起草人：曹赞、张秋。
SJ50033/174-2007 半导体分立器件 3DA521型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 1范围 本规范规定了3DA521型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件)的详细要求，按GJB33A-1997中1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示。
2规范性引用文件 下列文件中的条款通过引用而成为本规范的条款。
凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修改单 （不包括勘误的内容）或修订版本都不适用于本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的 可能性。
凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T7581半导体分立器件外形尺寸 GJB33A一1997半导体分立器件总规范 GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 3要求 3.1总则 3DA521型硅微波脉冲功率晶体管应符合本规范和GJB33A-1997规定的要求。
本规范的要求与总 规范不一致时，应以本规范为准。
3.2设计、结构和外形尺寸 3.2.1引出端材料和镀涂层 发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金。
3.2.2器件结构 本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管，并具有阻抗匹配网络。
3.2.3外形尺寸 外形应按图1的规定。
3.3最大额定值和主要电特性 3.3.1最大额定值 最大额定值见表1。
3.3.2主要电特性（TA=25C） 主要电特性见表2。
SJ50033/174-2007 单位为毫米 数值 尺寸代码 最小值 最大值 A 5.50 bx 4.87 5.13 by 4.87 5.13 C 0.05 0.15 20P F 1.44 1.60 G 10.03 10.29 L 2.00 - ①P 3.17 3.43 2.85 3.35 q 16.38 16.64 R 1.39 1.65 22.73 22.99 U2 9.65 16'6 U2 引出端极性：1-发射极2-集电极3-基极 图1外形图 表1 最大额定值 VEBO lc VSWR-T VSWR-S Tstg VcBO (W) 3 () (v) 360° 360° (C) (C) T=25℃ 3 65 3.0 1 3:1 2:1 -65~200 200 “当Te>25℃时，按17mW/K线性降额。
表2主要电特性 VCe( IcBo △G nc Po ReaG<) 符号 hFe V mA dB % W K/W Voc=36V，Pin=2.0W lc=0.25A Vc=5V Le05A 条件 Vcs=36V fo:870MHz~990MHz Vc∈=10V h005A t=300，D=15% ≥1ms 最小最大 最大 最大 最小 最大 最大 最小 最小设大 最大 极限值 10 100 1.0 1.0 7.8 8.8 8'0 50 12 15 58.3 3.4 测试要求 测试应符合GJB33A-1997及本规范的规定。
3.5标志 器件上应有如下标志： a) 器件型号； b) 极性标志； c) 承制方标志。
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SJ 50033/174-2007 4质量保证规定 4.1抽样和检验 除另有规定外，抽样和检验应符合GJB33A-1997和本规范的规定。
4.2鉴定检验 鉴定检验应符合GJB33A-1997和本规范表4、表5、表6、表7的规定。
终点电测试按表8进行。
4.3筛选（仅对JT和JCT级） 筛选应按GJB33A-1997中的表2和本规范表3的规定进行。
电参数测试按GB/T4587-1994和GJB 128A-1997相应方法，超过本规范表4极限值的器件应剔除。
表3筛选要求 条件和要求 筛选 GJB 128A-1997 JT和JCT级 1内部目检 2070 仅对JCT级器件。
2高温寿命 1032 200℃，24h 3温度循环 1051 试验条件F，循环20次 4...
