SJ 中华人民共和国电子行业军用标准 FL6131 SJ50033/176-2007
半导体分立器件 3DA523型硅微波脉冲功率晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detailspecificationfortype 3DA523siliconmicrowavepulsepower transistor
2008-01-24发布2008-02-01实施 中华人民共和国信息产业部批准
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前言
本规范是GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》的相关详细规范。
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。
本规范起草单位：信息产业部电子第四研究所。
本规范主要起草人：曹赞、李锟。
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半导体分立器件 3DA523型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
1范围 本规范规定了3DA523型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。
按GJB33A-1997中1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示。
2引用文件 下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。
凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修 改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本 的可能性。
凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T7581半导体分立器件外形尺寸 GJB33A-1997半导体分立器件总规范 GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 3要求 3.1总则 器件应符合本规范和GJB33A-1997规定的有要求。
本规范的要求与总规范不一致时，应以本规范 为准。
3.2设计、结构和外形尺寸 3.2.1引出端材料和镀涂层 发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金。
3.2.2器件结构 本器件是采用硅外延平面结构的NPN型品体管，具有阻抗匹配网络，用金属陶瓷外壳气密封装。
3.2.3外形尺寸 外形尺寸应按GB/T7581及图1的规定。
3.3最大额定值和主要电特性 3.3.1最大额定值 最大额定值见表1。
3.3.2主要电特性（TA=25C） 主要电特性见表2。
3.4测试要求 测试应符合GJB33A-1997及本规范的规定。
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单位为米 代号尺寸
最小最大 A-5.50 bx9.279.53 by9.279.53 20pC0.050.15
F1.441.60 G10.0310.29 L4.00- DP3.173.43
2.853.35 2q16.3816.64
R1.391.65 UI22.7322.99 U29.65166 U2
引出端极性1-发射极2-集电极3-基极 图1外形图
表1最大额定值 Pat w VCBO VEBO lcP VSWR-T VSWR-S Tstg T=25℃ v V A360°360°c c 58653.053:12:1-65~200200 当Tc=25C时，按331mW/C线性降额。
表2主要电特性表 参数hre VCE() IcBO G nc Po Ra()
V mA dB dB%w K/W Vc=5V ke3A Vcc=36V,Pμ=34W lc=2.5A 条件lc=3A=03AVcs=36V fo:870MHz~990MHz Vcx=10v
t=300μs,D=15% t=1ms 极限值最小最大最大最大最小最大最大最小最小最大最大
101001.05.07.98.80.9502102603.0 3.5标志 器件上应有如下标志： a)器件型号； b)极性标志； 2
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c）承制方标志。
4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应符合GJB33A-1997和本规范的规定。
4.2鉴定检验 鉴定检验应符合GJB33A-1997和本规范表4、表5、表6、表7的规定。
终点电测试按表8进行。
4.3筛选（仅对JT和JCT级） 筛选应按GJB33A-1997中的表2和本规范表3的规定进行。
电参数测试按GB/T4587-1994和GJB 128A-1997相应方法，超过本规范表4极限值的器件应剔除。
表3筛选要求 筛选试验方法条件和要求 见GJB33A-1997表2GJB128A-1997方法 JT和JCT级 1内部目检2070仅对JCT级器件。
2高温寿命1032200℃,24h 3温度循环1051条件F循环20次 4恒定加速度2006Y方向，9800m/s²...
