ICS31.200 L56 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11701—2018 通用NAND型快闪存储器接口 Common NAND flash memory interface 2018-02-09发布 2018-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11701—2018 目次 前言 II 1范围 1 2规范性引用文件 3术语和定义 1 4物理接口 2 4.1信号描述 2 4.2器件封装 2 4.3 极限工作电压 2 4.4推荐工作电 3 4.5直流参数 FORMATION 3 5阵列排布 A 5.1通则 TEC 4 5.2地址 6 5.3 出厂 不 7 5.4器件初始 .....8 6数据接和序 6.1通则 6.2 总线伏 SJ HN 8 8 6.3 测试 9 6.4 时序数 .9 6.5接口时底图 12 7指令定义 NIA .14 7.1 指令集 .14 7.2 页读功能 7.3 两平面读 7.4 页编程 FANDARD 15 .16 7.5 回拷贝编程 .17 7.6 两平面编程 .18 7.7 两平面回拷贝 .19 7.8 区块擦除 t19 7.9 两平面区块擦除 20 7.10 读状态 .21 7.11 读识别码(D) 21 7.12 器件信息查询表 23 7.13 读唯一识别码(UID) 25 7.14 重置 25 附录A(资料性附录)器件封装尺寸描述 26 I SJ/T117012018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利，本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会(SAC/TC78/SC2)提出并归口. 本标准主要起草单位：上海复旦微电子集团股份有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、深圳 市中兴微电子技术有限公司、深圳海思半导体有限公司. 本标准主要起草人：肖磊、沈磊、马庆容、楼冰泳、苏志强. 本标准为首次发布. II ...
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