ICS31.080.30 L42 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1486-2016 代替SJ/T1486-1979 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管 详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transistor 2016-04-05发布 2016-09-01实施 N 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T1486—2016 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替SJ/T1486一1979.与SJ/T1486一1979相比，本标准主要技术变化如下： 一本标准依据GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》. 一本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准. 一本标准增加了极限值参数VcBo(见本规范4.3)，增加了电特性参数V(BR)cBo(见本规范A2分组) 和高温下的截止电流e802(见杰莎5.8e见本规范A2b分组，旧版见3CG130型PNP 硅外延平面三极管规范表) 测试条在由VB-15 V 删掉了交流参数Kp和NF(见 旧版3CG130型PNP外延平 面三极管规范表). A7 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不 设到这些专利的责任. 本标准由全国半导体器 5J 件标准化技术委员会归口. 本标准起草单位济南市 本标准主要起草人 侯 萍、卞岩. 本标准于199年首次发 STANDARDS I SJ/T1486-2016 引言 本标准适用于3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管.本标准按照GB/T6217一1998《半导体器 件分立器件第部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》 制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560 一1999《半导体器件分立器件分规范》的要求. II ...
SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范.pdf
