ICS31.080 L53 备案号：52029-2015
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T2658.2-2015 代替SJ/T2658.2-1986
半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压
Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode -Part2:Forwardvoltage
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T2658.2-2015
前言
SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率RY AND 第7部分：辐射通量 第8部分：辐射强度 第9部分辐射强度空间分布和半强度角； 第10部分：调制带宽 第11部分：响应时间： 第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽； 第13部分辐射功率温度系数C 第14部分：结温； 第1部分热阻； 第16部分：光电转换效率 本部分为SJ/T2658的第2部分。
本部分按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SJ/T26582一1986《半导体红外发光二极管测试方法正向压降测武方法》，除编辑性 修改外主要技术变化如下 修改了测量原理图中的恒流源符号（见图1）； 细化了正向电压的测量步骤（见5.2）； 补充了正向电压测量时应规定的条件（见5.3） 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。
本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.2-1986。
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SJ/T2658.2-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压
1范围
本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）正向电压的测量原理图、测量步骤以及规定 条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。
SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1 正向电压forwardvoltage VF 通过器件的正向电流为规定值时，在其两极间产生的电压降。
4一般要求
测量正向电压的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。
5测量方法
5.1测量原理图 正向电压的测量原理图见图1。
SJ/T2658.2-2015
DUT
说明： DUT-被测器件； G恒流源；AND 电流表； 电压表。
图1正向电压测量原理图 5.2测量步骤 正向电压的测量按下列步骤进行 a按图1连接测量系统，并进行仪器圾 b)调节恒流源，使正向电流为规定值，读取直流电压表示数得到被测器件的正向电压值。
5.3规定条件NOL 有关标准采用本方法时，应规定以下条件 a)环境温度 b)正向电流MINI
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SJ/T 2658.2-2015
中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 SJ/T2658.2-2015 * 中国电子技术标准化研究院编制 中国电子技术标准化研究院发行 电话：（010）64102612传真：（010） 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：
开本：880×12301/16印张：2字数：12千字 2015年12月第一版2015年12月第一次印刷 印数：200册定价：20.00元 不得 ：（010）...
