ICS31.080 L53 备案号：52033-2015S 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.6-2015 代替SJ/T2658.6-1986
半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率
Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode Part6:Radiantpower
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T2658.62015
前言
SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻； 第6部分：辐射功率TRYAND 第7部分：辐射通量 第8部分：辐射强度 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角； 第10部分：调制带宽 第11部分：响应时间 第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽； 第13部分辐射功率温度系数 第14部分：结温； 第15部分热阻； 第16部分：光电转换效举 本部分为SJ/12658的第6部分 本部分按照GB/T1.12009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SI/T26586-1986《半导体红外发光二极管测试方法输出光功率的测试方法》，除编 辑性修改外主要技术变化如下： 修改了采用暗箱法测量直流辐射功率的原理图（见图1） 细化了采用暗箱法测量直流辐射功率的步骤（见5.12） 补充了采用暗箱法测量直流辐射功率的规定条件（见5.1.3 修改了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的原理图（见图3） 细化了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的步骤（见6.1.2）； 补充了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的规定条件（见6.1.3）； 增加了采用积分球法测量直流辐射功率的测量原理图（见图2）、测量步骤（见5.2.2）以及规 定条件（见5.2.3）； 增加了采用积分球法测量脉冲辐射功率的测量原理图（见图4）、测量步骤（见6.2.2）以及规 定条件（见6.2.3） 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。
本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.6-1986。
SJ/T2658.6-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率
1范围
本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定 条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管D 2规范性引用文件JSTRY 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件 GB/T2900.65-2004电术语：照明 SJT2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 TECHN 3术语和定义 GB/T2900.65一2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1 直流辐射功率Ldireotcurrentradiantpower 在规定的正向直流电流作用下，器件所发出的光功率。
3.2 脉冲辐射功率pulseradiantpower 在规定幅度、频率和占空比的矩形脉冲电流作用下：器件所发出的光功率。
4一般要求
测量辐射功率的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。
5直流辐射功率的测量
5.1方法I-暗箱法 5.1.1测量原理图 采用暗箱法测量直流辐射功率的原理图见图1。
SJ/T2658.6-2015
探测头
指示用电表
DUT
探测系统”
暗箱
说明： DUT-被测器件； G恒流源；
电流表。
探测系统探测头的有效接收面积应大于其所接收的器件发射光斑面积。
图1暗箱法测量直流辐射功率的原理图 5.1.2测量步骤 采用暗箱法测量直流辐射功率按下列步骤进行： a)按图1连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与
收区域内； b)调节恒流源，使正向电流I为规定值，读取探测系统示数后得到被测器件的直流辐射功率值。
5.1.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： a)环境温度； b)正向电流I。
5.2方法IⅡ-积分球法 5.2.1测量原理图 采用积分球法测量直流辐射功率的原理图见图2。
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SJ/T2658.6-2015
指示用电表 积分球“探测头
DUT探测系统
遮光屏
说明： DUT被测器件； G恒流源： A电流表。
注：被...
