H83 ICS29.045
GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30656-2014
碳化硅单晶抛光片 Polished monocrystalline silicon carbidewafers
2014-12-31发布2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布 中国国家标准化管理委员会
GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片
1范围
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、 质量证明书及订货单(或合同)内容。
本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。
产品 主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单)适用于本文件。
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T31351碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
(Testing of materials for semiconductor technology-Contactless determination of the electrical resis- tivity of semi-insulating semi-conductor slices using a capacitive probe)
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1 六方空洞hexagonalvoid 独立于晶片单晶区的具有六角形特征的空洞。
3.2 微管micropipe 4H或6H碳化硅单晶抛光片中沿c轴方向延伸且径向尺寸在一微米至几十微米范围的中空管道。
3.3 多型polytype 由同种化学成分所构成的晶体，当其晶体结构中的结构单位层相同，但结构单位层之间的堆垛顺序 1
GB/T 30656-2014 或重复方式不同时，而形成的结构上不同的变体。
3.4 表面取向surface orientation 为满足不同要求，晶片表面与{0001)面平行或成特定的角度，用这一角度来表示晶片的表面取向， 即样品表面法线与样品c轴的夹角。
3.5 正交取向偏离orthogonalmisorientation 切片时有意偏离{0001}晶面，晶片表面法向矢量在{0001)面的投影与{0001)面上最近的(1120>方 向的夹角，定义为正交取向偏离(见图1)。
c轴晶片表面法向
偏角最近的[0001}面上
方向 正交取向偏离
晶面法向在(0001)面的投影 (0001)面
图1晶片正交取向偏离示意图
4要求 4.1总则 碳化硅单晶抛光片的技术参数是指在固定优质区内的要求，且边缘去除区应符合表1的规定。
表1边缘去除区单位为毫米 直径边缘去除区 50.81 76.22 100
4.2分类 4.2.1碳化硅单晶抛光片按晶型分为4H和6H。
4.2.2碳化硅单晶抛光片按导电能力分为导电型和半绝缘型。
4.3牌号 碳化硅单晶抛光片的牌号应符合附录A的规定。
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GB/T 30656-2014
4.4规格 4.4.1碳化硅单晶抛光片按直径分为Φ50.8mm、$76.2mm和100mm。
4.4.2碳化硅单晶抛光片按产品质量，分为工业级（简称P级）、研究级（简称R级)和试片级（简称D 级)。
4.5几何参数 碳化硅单晶抛光片的几何参数应符合表2的规定。
表2几何参数 序号要求
项目p50.8 mm$76.2 mm$100.0 mm 1直径及允许偏差/mm50.8±0.276.2±0.2100.0±0.5 2主定位边长度及允许偏差/mm16.0±1.722.0±2,032.5±2.0 3次定位边长度及允许偏差/mm8.0±1.711.0±1.518.0±2.0 4主定位边取向平行于{1010}±5*平行于{1010}±5°平行于{1010}±5° （示意图见图2）
硅面：沿主定位边方向硅面：沿主定位边...
