中华人民共和国国家标准
GB/T 4326-2025代替GB/T4326-2006
非本征半导体单晶霍尔迁移率和 霍尔系数测量方法
Extrinsic semiconductor single crystals measurement ofHall mobility and Hall coefficient
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
GB/T43262006相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： 本文件代替GB/T43262006《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》，与
a）更改了范围（见第1章，2006年版的第1章）；b）更改了术语和定义（见第3章，2006年版的第2章）；e）更改了方法原理（见第4章，2006年版的第3章）；e）增加了试验条件（见第6章）； d）更改了干扰因素（见第5章，2006年版的第8章）；f）增加了试剂或材料（见第7章）；g）更改了儿何尺寸量具的要求（见8.2，2006年版的5.2）；h）更改了电极制备设备的要求（见8.3，2006年版的5.3）：j）更改了试验步骤（见第10章，2006年版的第6章）； i）更改了样品（见第9章，2006年版的第4章）：k）更改了试验数据处理（见第11章，2006年版的第7章）；1）更改了精密度（见第12章，2006年版的第9章）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）共同提出并归口.
本文件起草单位：有研国晶辉新材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东先导微电子科技有限公司、中国科学院半导体研究所、晶澳太阳能科技股份有限公司、大庆溢泰半导体材料有限公司、深圳大学.
本文件主要起草人：林泉、王博、马远飞、李素青、王阳、刘国龙、周铁军、王宇、黄文文、王金灵、刘京明、韩庆辉、赵中阳、胡世鹏、莫杰、朱晨阳.
本文件于1984年首次发布，2006年第一次修订，本次为第二次修订.
非本征半导体单晶霍尔迁移率和 霍尔系数测量方法
1范围
本文件描述了非本征半导体单品材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法.
材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量，也适用于电阻率小于10Ωcm的其他半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.
4方法原理
本方法利用霍尔效应即当固态导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载流子受到洛伦兹力面偏向一边，继面产生电压（霍尔电压）的现象，进行霍尔迁移率和霍尔系数的确定.
在具有单一型号载流子的非本征半导体中，霍尔系数与材料基本参数的关系见公式（1）.
.....................(1)
式中：
Y霍尔因子； R：一霍尔系数，单位为立方厘米每库仑（cm/C）；
n--载流子浓度，单位为每立方厘米（cm-²）；
-电子电荷，单位为库仑（C）.
霍尔因子（y）是由散射机构、样品温度、能带结构及磁场强度决定的比例因子，y通常可取1.
5干扰因素
5.1测量电流宜不大于1mA，以免试样发生电流加热.当电流通过试样，可用电阻率读数随时间的变化来判定测量电流是否适当.
5.2测量高阻试样时，试样表面漏电会影响测量结果.
