ICS31.080.30 CCS L42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11848—2022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小 功率晶体管详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of 3DG2484 2022-10-20发布 2023-01-01实施 gV ANO SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARDE SJ/T11848-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口. 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所. 本文件主要起草人：赵下玲 宋风领 王立康、赵昕、高盼红、崔莹莹. INDUSTRY HO NPORMATION TECHNOL SJ STANDARDSI SJ/T11848—2022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 1范围 本文件规定了3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件 不ND的NFO 其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件. GB/T2423.23-2018 ●环境试验 第2部分：试验方 GB/T4587 199 6 分立器件和集成电路第7部分： 双极型体管 GB/T45891 2006 半导体器件第10部分：分立器件和集成电 总规范 GB/T4987- 5 半导体器件机城和气候试验方法 GB/T49374-2018半导休器存机械和气候试验方法 第14部分：升出端强度（引线牢固度） GB/T 93716一2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分 通孔 安装器件的耐焊接热 GB/T 4937.21-2018半导体器件 机和气候试验方法第21部分： 性 GB/T7581 1987 导体 分立器件外形尺寸 GB/T125601999 彩导体器件分立件分规范 3术语和定义 4要求 CHNOLOGY 4.1总则 器件应符金本文件的新有规定. 质量评定类别符合GB/下4589.1一2006和GB/T12560一1999的规定.质量评定类别为Ⅱ类. 4.2设计、结构和外形只 4.2.1器件设计、结构 TANDARD 芯片采用硅外延平面结构， 装来用金属气密式封装 4.2.2外形尺寸 外形符合GB/T7581一1987中A3一01B型的规定.外形图见图1，外形尺寸见表1 ...
SJ/T 11848-2022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范.pdf
