中华人民共和国航天行业标准
QJ
FL 7021
航天计算机抗核辐射模拟试验方法
Simulation test method of nuclearradiation for on-boardvehicle puter
国防科学技术工业委员会发布
前言
本口准由中国航天科技集口公司提出. 本口准由中国航天口准化研究所口口.本口准起草口位：中国航天口代口子公司第七七一研究所.本口准主要起草人：蒋口祥、口口功.
航天计算机抗核辐射模拟试验方法
1范围
本口准口定了航天口算机抗核口射模口口口和程序.口口分口模口口磁脉冲口口、Y瞬口口量率口照的口口方法.
中子口照口口一般限于口路或部件口其口口方法可参考GJB762.1-1989《半口体器件口射加固口口方法-中子口照口口》.
本口准适用于航天口算机特口是口口口算机的研制、口口和分析，并口口算机抗核口射口境的适口性口口及其性能口估提供依据.
2规范性引用文件
下列文件中的条款通口本口准的引用而成口本口准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的修改口（不包含勘口的内容）或修口版均不适用于本口准，然而，鼓励根据本口准达成口口的各方研究是否可使用口些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本口准.
GJB150.1-1986口用口□口境口口方法口口 GJB548A-1996微口子器件口口方法和程序GJB762.1-1989半口体器件口射加固口口方法中子口照口口GJB762.2-1989半口体器件口射加固口口方法瞬口口照口口
3术语和定义
下列口口和定口适用于本口准.
3.1扰动upset指口算机的一种功能性瞬口故障，包括口口状口口化、存口数据翻口和模口信号瞬口偏移.
门锁latch-up
常口体硅工口CMOS口路中的一种寄生可控硅口象.
当外部存在大的口磁干口（EMI）、口磁脉冲（EMP）或瞬口口量率口照口就可能形成口口触口条件.口路一且口口并口千口持状口后，口口口致口口状口口口，重口引起PN口口口甚至口口的永久性故障.
3.3
电磁场强度eleetromagnetic field strength
泛指作用于口算机口品上的口口、口流、口荷或口磁口口力.
上.一且口磁口口度超口口算机口品的易口性口口口，功能性口口或微口子器件口口就会口生. 其中.最大口口口度（Em）是表征口磁脉冲能量的主要参数之一，威口水平口模口可达10V/m以
半幅宽度full width at half maximum amplitude(FWHM)
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表征口磁脉冲（EMP）的另一主要参数.
口磁脉冲（EMP）的波形可用双指数面数表示，其上升口口（r）很短，口口10ns量口，而衰落口口（t)口口，可达us量口.相口地，通常用FWHM来表示EMP的持口口口.
3.5
贯穿点point-of-entry
按口穿口型可分口口穿孔和口穿口管：按口构工程学科也可分口建筑口构的、机械的、口口口构的、口气的口穿点.减少口穿点和口穿点防口是EMP加固的基本技口之一.
3.6
（）（）
引起口算机功能口口、口口状口口化或数据翻口的瞬口口量率的口照口口是表征口算机抗瞬口口量率口口中具有最小口的参数.
3.7
门锁阔值剂量率latch-up threshold dose rates（LTDR)
引起口算机CMOS微口路口口的瞬口口量率的口照口口.LTDR通常比UTDR高出1个量口以上.
损伤阔值剂量率damage threshold doserates（DTDR）
引起口算机微口子器件口口的瞬口口量率的口照口口，DTDR通常比UTDR高出两个量口以上.
4一般要求
4.1试验方法的分类
本口准口定的核口射口境模口口口方法包括：方法一模口口磁脉冲口口方法二y瞬口口量率口口
4.2试验条件
按口算机技口条件要求，参照本口口方法口制口口大口.
口口的大气条件按GJB150.1-1986的3.1.1口定.
件可与任口提出方口商确定. 按口口性口，核口射模口口口主要分口两口：口定（或例行）口口和摸底口口.摸底口口的口口条
保口口口数据的可信度和分辨率，又能有效口口口照口口口口和次数.
口根据理口分析和其他口用情况，合理地确定口口的初始口射口口和后口次序口射口口，既能充分
4.3注意事项
口口注意事口如下：
a）口特口注意瞬口故障的口口和判口：b）接口口具有一定的口口口口能力，推荐采用串行通信方式，减少口口口的口外口口：d充分考口模口口口具有的破坏性特点，在口口前采取相口的口防措施： c）充分口口口口系口的重要性和复口性，尽可能减少各种干口的影响，以保口口口数据的可信度：e）口口口程中口源加口口程口符合口品技口文件口定的加口次序：f）口于以CMOS微口路口主体器件的口口口算机，口特口注意接口和口口通信技口的口用正确性，
