中华人民共和国国家标准化指导性技术文件
GB/Z43510-2023
集成电路TSV三维封装可靠性 试验方法指南
Integrated circuit TSV 3D packagingreliability testmethods guideline
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出.
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口.
本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、电子科技大学、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所.
本文件主要起草人：李锟、彭博、肖克来提、吴道伟、周斌、高见头、李文昌.
集成电路TSV三维封装可靠性 试验方法指南
1范围
本文件提供了硅通孔（TSV）三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南.
本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）
GB/T4937.11半导体器件机械和气候试验方法第11部分：快速温度变化双液槽法
GB/T4937.20半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响
GB/T4937.30半导体器件机械和气候试验方法第30部分：非密封表面安装器件在可靠性
试验前的预处理
GB/T4937.42半导体器件机械和气候试验方法第42部分：温湿度贮存
GB/T12750半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
IEC60749-5半导体器件机被和气候试验方法第5部分：稳态温度湿度偏置寿命试验（Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methodsPart 5: Steady-state temperature humiditybias life test)
Mechanical and elimatic test methodsPart 6; Storage at high temperature) IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存（Semiconductordevices
IEC60749-24半导体器件机械和气候试验方法第24部分：无偏置强加速稳态湿热试验(Semiconductor devices-Mechanical and climatie test methodsPart 24 : Accelerated moisture resist-anceUnbiased HAST)
IEC60749-29半导体器件机械和气候试验方法第29部分：门锁试验（SemiconductordevicesMechanical and climatic test methodsPart 29; Latch-up test)
IEC62374半导体器件栅极介电层的时间相关（电）介质击穿（TDDB）试验[Semiconductor devices Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films]
gration test) IEC 62415半导体器件恒流电迁移试验（Semiconductor devices-Constant current electromi-
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件.
