中华人民共和国国家标准
GB/T7666-2005代替GB/T7666-1987
传感器命名法及代码
Nomenclature and code for transducers
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布
目 次
1范围 前言2传感器命名方法3传感器代号标记方法4传感器代号附录A（资料性附录）传感器产品名称与标记代号对照表
前言
本标准代替GB/T7666-1987. 本标准沿袭了GB/T7666-1987的结构.本标准与GB/T7666-1987相比主要变化如下：a）2.1.5括号中"灵敏度”修改为"精度”.b）2.2.3中"简化表征"修改为"命名”.字”.d）3.1中增加"注：代号标记方法按2.2.3执行”.e）3.2..2中.依此类推.当被测量"修改为".依此类推.当被测量有国际通用标志时，应采用国际通用标志.当被测量”f）表2中删除被测量“[表]压”、[差]压”、“[绝]压”及其它们的代号. g）表2中被测量“速度"的代号修改为"V”.h）表2中被测量“声"的代号修改为"SH”.i）表2中被测量“血压”的代号修改为"[X]Y”.k）附录A中"速度传感器"标记代号修改为"CV-”；"磁电式速度传感器"标记代号修改为"CV- CD-”："光纤速度传感器“标记代号修改为"CV-GX-”.m）附录A中"pH值传感器"修改为"pH传感器”.n）附录A中"血压传感器"标记代号修改为"C[X]Y-”：“应变[计]式血压传感器"标记代号修改标记代号修改为"C[X]Y-GX-”
c）3中"拼音字母和阿拉伯数字"修改为"拼音字母（或国际通用标志）和阿拉伯数j）附录A中删除产品名称"表压传感器”、“差压传感器”、绝压传感器”及其标记代号.1）附录A中"声传感器“标记代号修改为"CSH-”本标准的附录A为资料性附录.本标准由仪器仪表元器件标准化技术委员会提出并归口.究所、信息产业部电子第四十九所、中国科学院合肥智能研究所等参加起草. 本标准由沈阳仪表科学研究院负责起草，大连理工大学、清华大学、华中科技大学、长春应用化学研本标准主要起草人：赵忠诚、李妍君、唐祯安、周兆英、廖延彪、任恕、王玉江、王善慈、虞承端、林洪、本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
孙仁涛.
GB/T 7666-1987.
传感器命名法及代码
1范围
本标准规定了传感器的命名方法、代号标记方法、代号.本标准适用于传感器的生产、科学研究、教学以及其他有关领域.
一种传感器产品的名称，应由主题词加四级修饰语构成.
2. 1. 1 主题词传感器.
2.1.2第一级修饰语-被测量，包括修饰被测量的定语.
2.1.3第二级修饰语一转换原理，一般可后续以“式”字.
第三级修饰语一特征描述，指必须强调的传感器结构、性能、材料特征、敏感元件以及其他必要的性能特征，一般可后续以“型"字.
2.1.5
2.2.1题目中的用法
本命名法在有关传感器的统计表格、图书索引、检索以及计算机汉字处理等特殊场合，应采用2.1所规定的顺序.
示例1：传感器，位移，应变[计]式，100mm；
2.2.2正文中的用法
在技术文件、产品样本、学术论文、教材及书刊的陈述句子中，作为产品名称应采用与2.1相反的顺序.
示例1:100mm应变式位移传感器；示例2：100~160dB电容式声压传感器： 示例3：士20g压电式加建度传感器；示例4:600kPa[单品]硅压阻式压力传感器；示例5；35kPa智能[型]谐振式差压传感器.
2.2.3修饰语的省略
当对传感器的产品名称命名时，除第一级修饰语外，其他各级可视产品的具体情况任选或省略.示例1：业已购进150只各种测量范围的半导体压力传感器.
GB/T 7666-2005
示例2：广告中介绍了我厂生产的电容式液位传感器.示例3：附加的测试范围只适用于差压传感器. 示例4：订购100mm位移传感器10只.示例5：加速度传感器可用作汽车安全气囊.
2.2.4传感器命名构成及各级修饰语举例一览表
表1列举了典型传感器的命名构成及各级修饰语的示例，可供传感器命名时参照.
表1典型传感器命名构成及各级修饰语举例一览表
第三级修饰语 特征 第四级修饰语 技术指标主题词 第一级修饰语 第二级修饰语 描述（传感器结构、性 范围（量程、被测量 转换原理 能、材料特征、级感元 件或辅助措施等） 测量范围、灵 单位敏度等）压力 压阻式 [] 0~2 5 MPa力 应变式 柱式[结构] 0~100 kN重量（称重） 应变式 悬臂梁式[结构] 0~10 kN力矩 应变式 静扭式[结构] 0~500 N m速度 磁电式 600 cm/s加建度 电容式 [单品]硅 ±5 g振动 磁电式 5~1 000 Hz流量 电磁[式] 播人式[结构] 0 5~10 m’/b位移 电润流[式] 非接触式[结构] 25 m液位 压阻式 投人式[结构] 0~100 m厚度 超声（波[式] 1. 5~99. 99 mm传感器 角度 何服式 ±1~ ±90 （度）°密度 谐振式 0 3~3 0 g/mL.银度 光纤[式] 800~2 500（红外）光 光纤[式] 20 mA磁场强度 霍尔[式] 砷化镍 0-2 T电流 霍尔[式] 砷化家或锦化铜 0~1 200 A电压 电感式 0~1 000 V（噪）声 40~120 dB（0;）气体 电化学 0~25 % VOL提度 电容式 高分子薄膜 10~90 %RH结露 94~100 %RHpH 参比电投型 2~16 （pH)
注：（）内的词为可换用词，即同文词（下同）.
