中华人民共和国国家标准
GB/T43894.2-2026
半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）
Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry-Part 2:Roll-off amount（ROA)
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
以下部分： 本文件是GB/T43894《半导体晶片近边缘儿何形态评价》的第2部分.GB/T43894已经发布了
第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）；
第2部分：边缘卷曲法（ROA）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准
本文件起草单位：山东有研半导体材料有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、金瑞泓微电子（衢州）有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、云南驰宏国际业有限公司.
丁雄杰、马砚忠、陆占清. 本文件主要起草人：宁永铎、朱晓彤、于亚迪、王玥、张婉婉、张雪因、刘云霞、徐国科、吕莹、徐新华、
引言
随着硅片直径的增加和线宽的不断降低，对硅片几何参数的要求也在不断提高.硅片的近边缘区域是影响硅片几何参数的重要因素，目前大直径硅片近边缘区域的厚度、平整度等形态的控制难度较大，因此有效地评价和管控大直径硅片的近边缘几何形态，对于提高硅片整体质量和集成电路芯片的成品率，促进技术代的升级有着重要的意义.该系列标准目前主要用于硅片及其他半导体材料晶片.
一第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）.目的在于使用径向二阶导数方法评价半导体晶片近边缘几何形态，-第2部分：边缘卷曲法（ROA）.目的在于使用边缘卷曲方法评价半导体晶片近边缘儿何 形态，一第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）.目的在于获得扇形区域平整度进面评价近边缘几何形态.第4部分：不完整区域局部平整度法（PSFQR、PSFQD、PSBIR）.目的在于获得不完整区域的局部平整度进面评价近边缘几何形态.
该系列标准从不同的测试区域，用不同的计算方法得到了对晶片近边缘区域几何参数的量化评价，有效地评价和管控了晶片的近边缘区域儿何形态，本文件在制定过程中融人了多年来测试、校准经验，对发辰我国大直径、高质量半导体硅片，彻底摆脱在半导体材料和器件方面的落后状态，有着非常重要的意义.
半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）
1范围
本文件描述了用边缘卷曲法（ROA）评价半导体晶片近边缘几何形态的方法.
片，也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价. 本文件适用于直径300mm硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅（SOI片）及其他带有表面层的圆形晶
注：直径200mm硅片参考本文件.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文本文件.
GB/T14264-2024半导体材料术语 GB/T16596确定晶片坐标系规范GB/T25915.1一2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级
3术语和定义
GB/T14264-2024界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3.1中心参考center-referenced
以晶圆片中心为原点建立，用于测量、计算的坐标系统.
边缘参考edge-referenced以晶圆片外围的某一点为原点建立，用于测量、计算的坐标系统.[来源：GB/T14264-2024 3.188]
3.2
3.3 边缘卷曲确定的基准线reference line ofan edge roll-off determination对不包括卷曲在内的理想表面进行拟合后推算得到的直线或立体曲线.[来源：GB/T14264-2024 3.189.9]
3.4 基准区域reference segment用于拟合基准线的区域.
沿不同角度、在半径方向获取高度数据阵列，根据基准区域内边缘卷曲数据拟合出基准线，逐一计
