GB/T 14030-1992半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理.pdf

低电平,基本原理,时基电路,电压,规范,推荐性国家标准
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中华人民共和国国家标准

GB/T 14030-92

半导体集成电路时基电路 测试方法的基本原理

General principles of measuring methodsoftimer circuits for semiconductorintegrated circuits

国家技术监督局 发布

中华人民共和国国家标准

半导体集成电路时基电路 测试方法的基本原理

GB/T 14030-92

General principles of measuring methodsof timer circuits for semiconductor integrated circuits

本标准规定了半导体集成电路时基电路(以下简称器件或时基电路)电参数测试方法的基本原理.

电路测试方法的基本原理》. 时基电路与CMOS电路相同的静志参数和动态参数测试可参照GB3834(半导体集成电路CMOS

1总的要求

1.1若无特殊说明,测试期间,环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定,

1.2测试期间,施于被测器件的电参量应符合器件详细规范的规定,

1.3测试期间,应避免外界干扰对测试精度的影响.测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定.

1.4被测器件与测试系统连接或断开时,不应超过器件的使用极限条件,

1.5若有要求时,应按器件详细规范规定的顺序接通电源.

1.6测试期间,被测器件应连接器件详细规范规定的外围电路和补偿网络.

1.7若电参数值是由几步测试的结果经计算面确定时,这些测试的时间间隔应尽可能短.

1.8本标准的参数定义按如下规定的真值表给出,如被测器件与本规定不符合时,可对测试电路进行相应的调整.

引出端名称 阀值端 鞋发增 复位端 输出端引出端符号 TH TR RES OUTx x L L规范 X L H HH H H H

表中:L为低电平,H为高电平,X为任意电平.

2参数测试

2.1复位电压V2.1.1目的在器件输出电压为低电平时,测试复位端施加的监界输入电压.2.1.2测试原理图

V测试原理图见图1.

图1

2.1.3测试条件

测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定.

电源电压.

a.环境温度;

2.1.4测试程序

2.1.4.1将被测器件接入测试系统中.

2.1.4.2接通电源.

2.1.4.3触发编接地,在复位端接输入电压V.调节V,使输出电压Vo翻转为低电平时,读取输入电压V值,即为Vx.

2.2复位电流I

2.2.1目的在复位电压范围内,测试流经复位端的最大电流.

2.2.2测试原理图I测试原理图见图2.

图2

2.2.3测试条件

测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定.

a.环境温度;

b. 电源电压:

e. 复位电压范围.

2.2.4测试程序

2.2.4.1将被测器件接入测试系统中.

2.2.4.2接通电源.

2.2.4.3在复位端输人电压V,调节V在规定的复位端输入电压范围内,读取复位端的最大电流值即为1k.

2.3触发电压Vm

在器件输出电压为高电平时,测试触发端施加的临界电压.

2.3.2测试原理图Vm测试原理图见图3.

图3

2.3.3测试条件

测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定.

a.环境温度;

b.电源电压.

2.3.4测试程序

2.3.4.1将被测器件接入测试系统中.

2.3.4.2接通电源,并将复位端和阔值端接电源电压.

2.3.4.3在触发端输入电压V,调节V.使输出电压V.为高电平时,读取输入电压V,值,即为Vm.

2.4触发电流/

2.4.2测试原理图

I测试原理图见图4.

2.4.3测试条件

a.环境温度;b.电源电压:c.触发电压范围.

2.4.4测试程序

2.4.4.1将被测器件接入测试系统中.

2.4.4.2接通电源

2.5阔值电压V

2.5.2试原理图 V测试原理图见图5.

2.5.3测试条件

测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,

2.5.1目的在器件输出电压为低电平时,测试阔值端所施加的临界电压,

测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定.

图 4

图5

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