YS
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T981.1-2024代替YS/T981.1-2014
高纯化学分析方法 第1部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
Methodsfor chemical analysisof highpurity indiumPart1Determination of trace impurity elements contentGlowdischargemassspectrometry
中华人民共和国工业和信息化部发布
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
本文件是YS/T981《高纯铟化学分析方法》的第1部分.YS/T981已经发布了以下部分：
-第1部分：痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法；一第2部分：镁、铝、铁、镍、铜、锌、银、镉、锡、铅的测定电感耦合等离子体质谱法；一第3部分：硅量的测定硅钼蓝分光光度法；-第4部分：锡量的测定苯芬酮-溴代十六烷基三甲胺吸光光度法；一第5部分：铊量的测定罗丹明B吸光光度法.
本文件代替YS/T981.1-2014《高纯铟化学分析方法镁、铝、硅、硫、铁、镍、铜、锌、砷、银、镉、锡、铊、铅的测定高质量分辨率辉光放电质谱法》，与YS/T981.1-2014相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）更改了范围（见第1章，2014年版的第1章）；c）增加了试验条件（见第5章）；）e）更改了仪器设备（见第7章，2014年版的第4章）；f）更改了样品的要求（见第8章，2014年版的6.1）；g）更改了试验步骤（见第9章，2014年版的6.4）；h）更改了试验数据处理（见第10章，2014年版的第7章）；i）更改了精密度（见第11章，2014年版的第8章）；j）删除了质量保证和控制（见2014年版的第9章）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：国标（北京）检验认证有限公司、株洲科能新材料股份有限公司、广东先导微电子科技有限公司、东方电气（乐山）峨半高纯材料有限公司、云南驰宏国际储业有限公司、朝阳金美业有限公司、云南锡业集团（控股）有限责任公司、北京清质分析技术有限公司、武汉拓材科技有限公司、楚雄川至电子材料有限公司.
本文件主要起草人：刘红、向清华、金智宏、谭秀珍、徐成、彭伟校、黎亚文、廖吉伟、汪洋、刘鹏宇、刘智鹏、赵景鑫、陈丽诗、李铭、卢鹏荐、张林、曹昌威、唐朝辉.
本文件于2014年首次发布为YS/T981.1一2014，本次为第一次修订.
引言
钢属于稀散金属，密度7.3g/cm”，熔点156.61C，沸点2080C，可塑性强，有延展性，可压成极薄的金属片.利用钢合金熔点低的特点可以制成特殊合金，用于消防系统的断路保护装置及自动控制系统的热控装置.添加少量钢制造的轴承合金是一般轴承合金使用寿命的4倍～5倍；铟还可作为Ⅲ、V族化合物半导体材料用于电子工业，如用作储及其晶体管的掺杂剂和接触剂.锑化钢和砷化钢用于红外探测、光磁器件、磁致电阻器及太阳能转换器等.
YS/T981由5部分构成.
一第1部分：痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法；一第2部分：镁、铝、铁、镍、铜、锌、银、镉、锡、铅的测定电感耦合等离子体质谱法；一第3部分：硅量的测定硅钼蓝分光光度法；一第4部分：锡量的测定苯苏酮-溴代十六烷基三甲胺吸光光度法；一第5部分：铊量的测定罗丹明B吸光光度法.
随着社会的发展和科技的进步，铟的生产工艺水平和检测能力都有了大幅进步，为适应目前行业内对产品纯度的要求，原标准YS/T981.1一2014中技术内容需要进行修订，并将原标准中杂质元素个数由14种增加为73种.该标准的修订对于进一步研究钢的理化性能、把控产品质量等具有重要的意义.
高纯铟化学分析方法 第1部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
1范围
本文件描述了辉光放电质谱法测定高纯铟中痕量杂质元素含量的方法.本文件适用于高纯铟中杂质元素含量的测定，测定元素及其范围见表1.
表1测定元素及其范围
测定范围 测定范围 测定范围 测定范围 测定范围元素 wg/g 元索 g/g 元素 wg/g 元素 μg/g 元素 μg/gLi 0.001~10 v 0.001~10 0.001~10 La 0.001~10 Ta 0.05~10Be 0.001~10 0.001~10 Zr 0.001~10 0.001~10 W 0.001~10B 0.001~10 Mn 0.001~10 Nb 0.001~10 Pr 0.001~10 Re 0.001~10F 0.05~10 Fe 0.001~10 Mo 0.001~10 Nd 0.001~10 0.001~10Na 0.005~10 Ni 0.001~10 Ru 0.001~10 Sm 0.001~10 r 0.001~10Mg 0.005~10 0.001~10 Rh 0.001~10 Eu 0.005~10 Pt 0.001~10A1 0.005~10 Cu 0.001~10 Pd 0.001~10 Gd 0.001~10 Au 0.005~100.005~10 Zn 0.001~10 Ag 0.001~10 Tb 0.001~10 Hg 0.001~10P 0.005~10 Ga 0.005~10 P 0.001~10 Dy 0.001~10 T1 0.001~10S 0.05~10 Ge 0.005~10 Sn 0.001~10 Ho 0.001~10 Pb 0.001~100.05~10 As 0.005~10 Sb 0.001~10 0.001~10 Bi 0.001~10K 0.05~10 0.05~10 I 0.05~10 Tm 0.001~10 Th 0.001~100.005~10 Se 0.05~10 Te 0.001~10 Yb 0.001~10 U 0.001~10Sc Lu0.001~10 Rb 0.001~10 0.05~10 0.001~10L 0.001~10 s 0.001~10 Ba 0.001~10 Hf 0.001~10
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定
GB/T14264半导体材料术语
