中华人民共和国国家标准
GB/T25965-2010
材料法向发射比与全玻璃真空太阳 集热管半球发射比试验方法
Test methods of normal emittance of materials andhemispherical emittance of all-glass evacuated collector tubes
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言
本标准由全国能源基础与管理标准化技术委员会、全国太阳能标准化技术委员会提出.
本标准由全国太阳能标准化技术委员会（SAC/TC402）归口.
本标准负责起草单位：北京卫星制造厂、北京清华阳光能源开发有限责任公司、国家太阳能热水器质量监督检验中心（北京）、中国标准化研究院、深圳市嘉普通太阳能有限公司、清华大学、中国计量科学研究院、北京太阳能研究限公司、北京九阳实业公司、皇明太阳能集团有限公司、山东力诺新材料有限公司、江苏太阳雨太阳能有限公司、湖北华扬太阳能集团有限公司.
冯爱荣、刘希杰、李旭光、王万忠、黄永定.
材料法向发射比与全玻璃真空太阳 集热管半球发射比试验方法
1范围
本标准规定了测量光谱选择性吸收涂层法向发射比与全玻璃真空太阳集热管吸收涂层半球发射比的设备、装置及要求、试样尺寸及要求、测试条件、测试程序及测试方法.
比与全玻璃真空太阳集热管半球发射比的测量. 本标准适用于材料及光语选择性吸收涂层在研制和生产过程中工艺规范筛选以及试样的法向发射
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款，凡是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准然面，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准.
GB/T12936太阳能热利用术语GB/T17049全玻璃真空太阳集热管
3术语、符号及单位
GB/T12936确立的以及下列术语和定义适用于本标准.
3. 1辐射出射度radiant exitanceM .W/m²离开表面一点处的面元辐射能通量，除以该面元面积.
3. 2t，无量纲 发射比emittance相同温度下辐射体的辐射出射度与全辐射体（黑体）的辐射出射度之比.
3.3半球发射比hemisphericalemittance无量纲相同温度下，在2π立体角内辐射体的辐射出射度与黑体的辐射出射度之比.
'E法向发射比normal emittance，无量纲辐射体表面在某一温度法向上的发射比.
4法向发射比测量方法
4.1测量装置及要求
法向发射比测量装置，由黑体腔、试样腔、零点校正腔、热敏元件腔和恒温水浴等组成.黑体腔和试
样腔以热水为工质，零点校正腔和热敏元件腔以冷水为工质的法向发射比测量装置的结构示意见图1.
2--零点校正腔； 1-黑体腔：3--试样腔：4--待测试样；5--热敏元件；6-热敏元件腔；7--恒湿水浴； 8-二次仅表.
图1法向发射比测量装置示意图
4.1.1黑体腔和零点校正腔完全一致，腔深与腔径之比应不小于3，腔内表面喷涂无光黑漆，其半球发
射比不小于0.90.其半球发射比不小于0.90.4.1.3试样腔：在装上试样后不能漏水，夹持试样的零件外表面应镀金并抛光.4.2.1恒温水浴：测量温度范围为室温（低于30℃）~95C可调，在80℃，恒温波动度士0.2℃C.
4.1.2热敏元件腔：腔深与腔径（腔径一般取10mm左右）之比不小于10，腔内表面喷涂无光黑漆，
4.2测量装置辅助设备及二次仪表
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4.2.2低阻检流计：分度值不大于1.1×10A/mm，内阻不大于200，临界电阻不大于1000或数字万用表：分辨率应优于1gV.
4.3试样及要求
4.3.4试样的制备
4.3.4.1以金属为基体材料的试样可以在成品上剪裁下作为试样，如果成品不易剪裁也可以采用挂片的方法.
4.3.4.2全玻璃真空太阳集热管吸收涂层测试试样采用挂片方法.镀集热管吸收涂层时，在集热管的 中间和两端挂三片玻璃片或载波片，试样厚度6≤1.5mm，三片玻璃试样测试结果的平均值表示该集热管或此工艺膜系的法向发射比.
4.4测试
4.4.1.1首先将待测试样按要求放人试样腔内.
4.4.2测试程序
4.4.2.1开启恒温水浴循环水泵，使80℃土0.2C的热水在试样腔和黑体腔中循环流动.零点校正腔和热敏元件腔通入低于30C的循环水或自来水.
4.4.2.2当试样温度达到恒定温度时（80℃）且在5min~10min内，温度波动不大于0.2℃C，方可开始进行测试.
4.4.2.4取下零点校正腔，将试样腔和黑体腔分别依次置于热敏元件腔上方，从二次仪表分别显示试 样和黑体腔热辐射输出电信号指示值.和h，此过程4.4.2.3和4.4.2.4至少进行3次，每次间隔不小于908
4.5测试数据处理
4.5.1法向发射比计算公式
比值，为法向发射比，待测试样表面法向发射比为： 根据法向发射比的定义，热辐射体表面法向辐射出射度与在同一温度下黑体的法向辐射出射度之
式中：
待测试样在温度T.时辐射输出电信号示值：A一--黑体在温度T.时辐射输出电信号示值：
e待测试样的法向发射比：
《-黑体的法向发射比.
取黑体的法向发射比s=1时，则式（1）简化为：
在实际测试中，零点校正腔也有辐射输出信号示值，所以在操作时应将测得的4，和同时减去，即：
